| dc.contributor | | pt-BR |
| dc.creator | Tainá Matendal; Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Toledo, Paraná, Brasil | |
| dc.date | 2018-10-23 13:52:02 | |
| dc.date.accessioned | 2022-12-07T17:48:02Z | |
| dc.date.available | 2022-12-07T17:48:02Z | |
| dc.identifier | https://eventos.utfpr.edu.br//sicite/sicite2018/paper/view/3790 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/5305647 | |
| dc.description | Nanofios semicondutores são estruturas que possuem grande potencial de aplicação na área eletrônica. Dentre as aplicações de nanofios semicondutores estão os dispositivos termoelétricos, nos quais diferenças de temperatura são convertidas em corrente elétrica. Um dos nanofios termoelétricos mais utilizados atualmente é o Telureto de Chumbo (PbTe), porém devido a preocupações ambientais busca-se materiais substitutos. A proposta deste trabalho foi substituir o chumbo por estanho, pois o Telureto de Estanho (SnTe) possui a mesma estrutura cristalina do PbTe. Porém, eletronicamente, o SnTe tem um desempenho inferior ao PbTe. Sendo assim, existe a necessidade de uma otimização nas propriedades termoelétricas do SnTe. Neste trabalho avaliou-se a influência de defeitos (vacâncias e antissítios) visando o aumento da eficiência termoelétrica desse material. Conclui-se que a vacância de estanho modifica as propriedades eletrônicas de forma semelhante no bulk e nanofio, introduzindo níveis de defeito no interior da banda de valência, tornando este defeito um bom candidato a material termoelétrico. Os outros defeitos não se mostraram eficientes. | pt-BR |
| dc.language | pt | |
| dc.publisher | Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR | pt-BR |
| dc.rights | Autores que submetem a esta conferência concordam com os seguintes termos:<br /> <strong>a)</strong> Autores mantém os direitos autorais sobre o trabalho, permitindo à conferência colocá-lo sob uma licença <a href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/">Licença Creative Commons-Attribution</a>, que permite livremente a outros acessar, usar e compartilhar o trabalho com o crédito de autoria e apresentação inicial nesta conferência.<br /> <strong>b)</strong> Autores podem abrir mão dos termos da licença CC e definir contratos adicionais para a distribuição não-exclusiva e subsequente publicação deste trabalho (ex.: publicar uma versão atualizada em um periódico, disponibilizar em repositório institucional, ou publicá-lo em livro), com o crédito de autoria e apresentação inicial nesta conferência.<br /> <strong>c)</strong> Além disso, autores são incentivados a publicar e compartilhar seus trabalhos online (ex.: em repositório institucional ou em sua página pessoal) a qualquer momento antes e depois da conferência. | |
| dc.source | Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR; XXIII Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR | 0 |
| dc.subject | Física | pt-BR |
| dc.subject | Nanofios semicondutores; Nanofios termoelétricos | pt-BR |
| dc.title | Estudo Teórico de Defeitos Intrínsecos em Nanofios de Telureto de Estanho | 0 |
| dc.type | Documento avaliado pelos pares | pt-BR |
