Estudio del efecto relativista en la electrónica : descripción de marcos de referencia y modelaje de la dilatación temporal en el microprocesador

dc.contributor	Rivas, Manuel
dc.contributor	UNE
dc.creator	Dominguez C., Daniel A.
dc.date	2011-09-19T14:40:33Z
dc.date	2011-09-19T14:40:33Z
dc.date	2010-11
dc.date	2011-09-19T14:40:33Z
dc.date.accessioned	2022-11-15T13:06:52Z
dc.date.available	2022-11-15T13:06:52Z
dc.identifier	http://miunespace.une.edu.ve/jspui/handle/123456789/386
dc.identifier.uri	https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/5190205
dc.description	La presente investigación trata sobre las relaciones existentes entre la teoría de la relatividad especial y el microprocesador, con el objetivo general de describir los marcos de referencia necesarios para estudiar el efecto relativista asociado al tiempo del microprocesador. Durante el desarrollo de la temática se aborda con especial énfasis el tema de la conductividad en los sitemas iónicos cristalinos y su relación con la velocidad de generación propia de los semiconductores como el silicio. Se plantean las implicaciones de una velocidad de generación cercada a la velocidad de la luz (c) en el interior del material semiconductor y como se relaciona esto con la ley de acción de masas.
dc.language	es
dc.subject	Velocidad de propagación
dc.subject	Microprocesadores
dc.subject	Semiconductores
dc.subject	Velocidad de generación
dc.title	Estudio del efecto relativista en la electrónica : descripción de marcos de referencia y modelaje de la dilatación temporal en el microprocesador
dc.type	Thesis