Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2

dc.creatorPérez, Flor
dc.creatorGonzález, Jesús
dc.creatorMora, Asiloé
dc.creatorDelgado, Gerzon
dc.date2010-05-17
dc.date.accessioned2022-11-04T23:04:01Z
dc.date.available2022-11-04T23:04:01Z
dc.identifierhttps://produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/9828
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/5129616
dc.descriptionEn este trabajo se presenta el estudio estructural del compuesto TlGaS2. La muestra fue crecida utilizando el método Brigdman. La caracterización se realizó utilizando las técnicas de difracción de rayos-X en muestras policristalinas y cristal único. Este análisis indica que el compuesto TlGaS2 cristaliza en el sistema monoclínico con grupo espacial C2/c. La estructura consiste de unidades del tipo Ga4S10 las cuales forman capas a lo largo de la dirección c.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad Experimental de Ciencias de la Universidad del Zuliaes-ES
dc.relationhttps://produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/9828/9815
dc.rightsDerechos de autor 2016 Cienciaes-ES
dc.sourceCiencia; Vol. 16 Núm. 1es-ES
dc.source1315-2076
dc.subjectdifracción de rayos-Xes-ES
dc.subjectsemiconductoreses-ES
dc.titleCaracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2es-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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