Estudio de la magnetoresistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3

dc.creatorVillarreal, Manuel
dc.creatorFernández, Braulio
dc.date2011-04-27
dc.date.accessioned2022-11-04T23:01:48Z
dc.date.available2022-11-04T23:01:48Z
dc.identifierhttps://produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/9435
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/5129495
dc.descriptionEn este trabajo presentamos el estudio de la magnetoresistencia ï „p / po del compuesto ternario Cu2GeSe3 tipo-p en función de campo magnético, de 2 a 16 kG, y en un rango de temperaturas de 80 a 300 K. Del ajuste de la magnetorresistencia se obtienen los valores de la movilidad de arrastre de los portadores, observándose una clara dependencia con la movilidad de Hall, donde el factor de Hall es cercano a la unidad.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad Experimental de Ciencias de la Universidad del Zuliaes-ES
dc.relationhttps://produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/9435/9423
dc.rightsDerechos de autor 2016 Cienciaes-ES
dc.sourceCiencia; Vol. 14 Núm. 3es-ES
dc.source1315-2076
dc.subjectnuevos materialeses-ES
dc.subjectmagnetorresistenciaes-ES
dc.subjectsemiconductoreses-ES
dc.titleEstudio de la magnetoresistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3es-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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