dc.contributorVodanovic, Gonzalo Tomás
dc.creatorMarchi, Brian Ezequiel
dc.date.accessioned2020-08-11T17:25:30Z
dc.date.accessioned2022-10-14T18:18:43Z
dc.date.available2020-08-11T17:25:30Z
dc.date.available2022-10-14T18:18:43Z
dc.date.created2020-08-11T17:25:30Z
dc.date.issued2020-07
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11086/15868
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/4268986
dc.description.abstractEl objetivo del presente trabajo es desarrollar una plataforma para acelerar, automatizar y emular el proceso de degradación al que se somete un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia en un aparato de Resonancia Magnética Nuclear por ciclado rápido de campo (RMN-FFC). Este sistema debe ser capaz de controlar la degradación del transistor; analizar las condiciones de destrucción y reaccionar a ellas; observar los parámetros de funcionamiento durante los ensayos mediante gráficos y almacenar toda la información en una base de datos local.
dc.description.abstractThe objective of the present work is to develop a platform to accelerate, automate and emulate the degradation process to which a power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is subjected in a fast field-cycling Nuclear Magnetic Resonance equipment (FFC-NMR). The system should be able to control degradation of the transistor; analyze destruction conditions and react to them; observe the operating parameters during the trials using graphics and saving all information in a local database.
dc.languagespa
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rightsAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
dc.subjectDegradación
dc.subjectRegresor
dc.subjectHardware
dc.subjectMOSFET
dc.subjectQt
dc.subjectC++
dc.subjectSOA
dc.titleControl de plataforma de degradación acelerada de transistores de potencia
dc.typebachelorThesis


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