Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc2O3 dopado con 111In → 111Cd, 181Hf → 181Ta y 44Ti → 44Sc

dc.contributor	Rentería, Mario
dc.contributor	Errico, Leonardo Antonio
dc.creator	Richard, Diego
dc.date	2009
dc.date	2009
dc.date	2009-09-02T03:00:00Z
dc.identifier	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2193
dc.description	El presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd y 181 Ta, realizando además una comparación con otro modelo más sencillo como el de cargas puntuales (PCM, por sus siglas en inglés). Esta modalidad de trabajo permitirá analizar la aplicabilidad de aproximaciones introducidas en la DFT, y las razones por las que en ciertos casos funcionan los modelos más sencillos. En este trabajo mostramos como cálculos de primeros principios pueden resultar esenciales para una correcta asignación de las interacciones hiperﬁnas
dc.description	Facultad de Ciencias Exactas
dc.format	application/pdf
dc.language	es
dc.subject	Ciencias Exactas
dc.subject	Física
dc.subject	Cálculo
dc.subject	semiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico
dc.subject	Materia condensada
dc.title	Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
dc.type	Tesis
dc.type	Tesis de grado