dc.contributorRentería, Mario
dc.contributorErrico, Leonardo Antonio
dc.creatorRichard, Diego
dc.date2009
dc.date2009
dc.date2009-09-02T03:00:00Z
dc.identifierhttp://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2193
dc.descriptionEl presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd y 181 Ta, realizando además una comparación con otro modelo más sencillo como el de cargas puntuales (PCM, por sus siglas en inglés). Esta modalidad de trabajo permitirá analizar la aplicabilidad de aproximaciones introducidas en la DFT, y las razones por las que en ciertos casos funcionan los modelos más sencillos. En este trabajo mostramos como cálculos de primeros principios pueden resultar esenciales para una correcta asignación de las interacciones hiperfinas
dc.descriptionFacultad de Ciencias Exactas
dc.formatapplication/pdf
dc.languagees
dc.subjectCiencias Exactas
dc.subjectFísica
dc.subjectCálculo
dc.subjectsemiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico
dc.subjectMateria condensada
dc.titleEstudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
dc.typeTesis
dc.typeTesis de grado


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