Electroluminiscencia bajo tensión continua de dispositivos MOS basados en nanocristales de silicio obtenidos por LCVD

dc.creatorJoan Juvert
dc.creatorJORGE BARRETO FLORES
dc.date2009
dc.date.accessioned2022-10-12T19:42:47Z
dc.date.available2022-10-12T19:42:47Z
dc.identifierhttp://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/1669
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/4120262
dc.descriptionSe han realizado medidas de electroluminiscencia bajo tensión continua en dispositivos con nanocristales de silicio. Las capas enriquecidas en silicio se han obtenido mediante LPCVD y todo el proceso de fabricación en compatible con la tecnología CMOS. La luminiscencia bajo tensión continua se manifiesta en la aparición de puntos luminosos en la muestra. La intensidad que fluye por el dispositivo llega a un régimen de saturación así como la potencia emitida, lo cual se traduce en un máximo de eficiencia de electroluminiscencia para un cierto valor de la intensidad de corriente.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/about/cc0/
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Electroluminiscencia/Silicio
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Tensión continua/nanocristales
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/CMOS/LPCVD
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/23
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2307
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/221099
dc.titleElectroluminiscencia bajo tensión continua de dispositivos MOS basados en nanocristales de silicio obtenidos por LCVD
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceProceedings
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/submittedVersion


Este ítem pertenece a la siguiente institución