Modeling and simulation of optoelectronic mixers based on FET´s 

Modelado y simulación de mezcladores optoelectrónicos a base de FET's

dc.contributorJ. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ
dc.creatorGonzalo Soberanes Flores
dc.date2005
dc.date.accessioned2022-10-12T19:36:42Z
dc.date.available2022-10-12T19:36:42Z
dc.identifierhttp://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/146
dc.identifierhttp://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2012
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/4118380
dc.descriptionLa presente tesis está relacionada con la caracterización electro-óptica de transistores FET y con el modelado y simulación de mezcladores optoelectrónicos.  A partir de mediciones de las curvas I-V con diferentes potencias ópticas de iluminación, se obtiene la fotocorriente en función de la potencia óptica. Se observa que la fotocorriente tiene una variación de forma logarítmica con respecto a la iluminación óptica cuando el efecto fotovoltaico interno es dominante y que presenta una variación lineal cuando el efecto fotoconductivo es dominante sobre el efecto fotovoltaico.  Mediante la relación entre la fotocorriente y la transconductancia en función de los voltajes de polarización, se obtienen las curvas del fotovoltaje en función de los voltajes VGS y VDS, donde se muestra experimentalmente que cuando el transistor está en conducción el fotovoltaje es independiente del voltaje de polarización de compuerta.  Se propone un modelo para el fotovoltaje interno en función de la potencia óptica y del voltaje VDS y se presenta la aplicación de este modelo en la simulación de las curvas I(V) y en la simulación dinámica del transistor bajo iluminación óptica.  Utilizando el software ADS se realizó la simulación del mezclador optoelectrónico.  Finalmente, se obtuvieron datos experimentales del mezclador optoelectrónico y se realizó la comparación con los obtenidos de la simulación. 
dc.descriptionThis dissertation deals with the electro-optic characterization of FET transistors and with the modeling and simulation of optoelectronic mixers.  Using I(V) measurements data under optical illumination, the photocurrent dependence on optic power is obtained. It is observed that the photocurrent exhibit a logarithmic dependence with the optic power when the photovoltaic effect is dominant. However, when the photoconductive effect is dominant to photovoltaic effect is lineal.  By using the relationship between the photocurrent and the transconductance in function of the bias point, the curves of the photovoltage are obtained at different VGS and VDS voltages, where it is shown experimentally that when the transistor is in conduction the photovoltage is independent of the gate voltage.  A model is proposed to predict the internal photovoltage in function of the optic power and the VDS voltage. The proposed model was validated by the simulation of the I(V) curves and in the dynamic simulation of the transistor under optic illumination.  The simulation of the optoelectronic mixer was done using the software ADS.  Finally, experimental data of the optoelectronic mixer were obtained and compared with those obtained by the simulation. 
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherCICESE
dc.relationcitation:Soberanes Flores, G. 2005.Modelado y simulación de mezcladores optoelectrónicos a base de FET's. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 113 pp.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Autor/Comunicaciones de espectro extendido
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/33
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/3325
dc.titleModeling and simulation of optoelectronic mixers based on FET´s 
dc.titleModelado y simulación de mezcladores optoelectrónicos a base de FET's
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis


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