dc.contributorSANTOS, Luiz Antônio Pereira dos
dc.contributorGENEZINI, Frederico Antônio
dc.contributorhttp://lattes.cnpq.br/4014953771379190
dc.contributorhttp://lattes.cnpq.br/1168675569547602
dc.creatorERVEDOSA, Eduardo Jorge Pavão
dc.date2019-05-09T21:35:22Z
dc.date2019-05-09T21:35:22Z
dc.date2018-02-21
dc.date.accessioned2022-10-06T18:10:01Z
dc.date.available2022-10-06T18:10:01Z
dc.identifierhttps://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/30564
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3989408
dc.descriptionAtualmente diversos tipos de materiais semicondutores são estudados por meio de irradiação para fins de alterar suas propriedades elétricas com propósito de aplicações na indústria e medicina. Filmes de compósitos semicondutores de polietileno dopado com carbon black (carbono amorfo), os quais tem vasta utilização na indústria eletrônica, foram expostos aos feixes de radiação gama e nêutron para fins de analisar o comportamento elétrico com base no eletromagnetismo clássico, teoria de percolação e seu comportamento fractal. Análises experimentais do comportamento elétrico com base nessas teorias são apresentados como resposta aos feixes de radiação gama, nêutron e gama-nêutron, em irradiadores típicos e em um reator nuclear de pesquisa. A característica de estrutura amorfa do material sofre alterações significativas quando analisado do ponto de vista de alteração do expoente fractal tanto pelos feixes de radiação gama como pelos nêutrons, embora efeitos iniciais distintos ocorram para cada tipo de irradiação. O estudo conclui que essa forma de análise do material pode ser utilizada como estimador do fluxo de partículas durante o processo de irradiação se o limite de saturação do efeito não for alcançado.
dc.descriptionCurrently several types of semiconductor materials are studied by means of irradiation for changing their electrical properties for the purpose of applications in industry and medicine. Polyethylene doped with Carbon black it is a semiconductor composite film (amorphous material), which is widely used in the electronics industry. The films were exposed to gamma and neutron beams for analyzing electrical behavior based on classical electromagnetism, percolation theory and their fractal behavior. Experimental analysis of electrical behavior based on these theories is presented as a response to gamma, neutron and gamma-neutron radiation in typical irradiators and in a nuclear research reactor. The amorphous structure characteristic of the material has significant changes if analyzed from the point of view of alteration of the fractal exponent by both gamma and neutron beams, although distinct initial effects occur for each type of irradiation. The study concludes that such a method of analysis can be used as an estimator of particle flow during the irradiation process if the saturation limit of the effect is not reached.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagepor
dc.publisherUniversidade Federal de Pernambuco
dc.publisherUFPE
dc.publisherBrasil
dc.publisherPrograma de Pos Graduacao em Tecnologias Energeticas e Nuclear
dc.rightsembargoedAccess
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/
dc.subjectPolietileno
dc.subjectGama-nêutron
dc.subjectSemicondutores
dc.titleEstudo de propriedades elétricas de filmes semicondutores de polietileno com negro de fumo submetidos à radiação gama-nêutron
dc.typedoctoralThesis


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