Mapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.

dc.contributorZambrano Rojas, Samuel
dc.creatorJácome Mejía, Jesús Alfonso
dc.date.accessioned2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.accessioned2022-09-29T15:38:01Z
dc.date.available2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.available2022-09-29T15:38:01Z
dc.date.created2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.issued2019
dc.identifierhttps://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/381
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3781340
dc.description.abstractEn este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia (RPM2000). Se realizó un barrido sobre las muestras, del cual se obtuvieron resultados para los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. Haciendo un proceso de decapado químico mejoraron las mediciones, debido a que las muestras al estar expuestas al medio ambiente en condiciones normales, se contaminan con la humedad, carbono y el oxígeno originándose en estas un proceso de envejecimiento formando una capa de óxido superficial que debe ser removida, ya que la respuesta óptica de un material envejecido genera defectos y bandas muy anchas de PL. A partir de la técnica de fotoluminiscencia aplicada a las muestras semiconductoras se encontró información vital sobre la uniformidad de la composición del dopamiento, la calidad del material y los defectos de la misma.
dc.languagespa
dc.publisherUniversidad de La Guajira
dc.publisherSUE CARIBE
dc.publisherDistrito Especial, Turístico y Cultural de Riohacha
dc.publisherMaestría en Ciencias Físicas
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dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional (CC BY-NC-SA 4.0)
dc.rightsDerecho Reservados Universidad de La Guajira
dc.titleMapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.
dc.typeTesis


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