dc.contributorZambrano Rojas, Samuel
dc.creatorJácome Mejía, Jesús Alfonso
dc.date.accessioned2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.accessioned2022-09-29T15:38:01Z
dc.date.available2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.available2022-09-29T15:38:01Z
dc.date.created2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.issued2019
dc.identifierhttps://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/381
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3781340
dc.description.abstractEn este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia (RPM2000). Se realizó un barrido sobre las muestras, del cual se obtuvieron resultados para los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. Haciendo un proceso de decapado químico mejoraron las mediciones, debido a que las muestras al estar expuestas al medio ambiente en condiciones normales, se contaminan con la humedad, carbono y el oxígeno originándose en estas un proceso de envejecimiento formando una capa de óxido superficial que debe ser removida, ya que la respuesta óptica de un material envejecido genera defectos y bandas muy anchas de PL. A partir de la técnica de fotoluminiscencia aplicada a las muestras semiconductoras se encontró información vital sobre la uniformidad de la composición del dopamiento, la calidad del material y los defectos de la misma.
dc.languagespa
dc.publisherUniversidad de La Guajira
dc.publisherSUE CARIBE
dc.publisherDistrito Especial, Turístico y Cultural de Riohacha
dc.publisherMaestría en Ciencias Físicas
dc.relationDe los Ríos, M: Estudio de la formación de defectos y colas de banda en muestras envejecidas de GaAs:Ge y AlGaAs:Sn por medio de la técnica de fotoluminiscencia. Universidad del Quindío (2002).
dc.relationCortés, D., Fonthal, G., De los Ríos, M. & Ariza, H: Estudio por fotoluminiscencia del efecto de la impurificación en la formación de defectos para el GaAs dopado. Revista Colombiana de Física. Vol. 43 No 2, p-p.532 – 535 (2011).
dc.relationLugo, E., Rodríguez, E: Fabricación de diodo Schottky basado en GaAs para aplicaciones THz. No. TEL22, p-p. 1-5 (2015).
dc.relationXiaolong, Z., Youwen, Z. & Niefeng, S: Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals. Journal of Crystal Growth. Vol 264, p-p 17-20 (2003).
dc.relationMurata, K., Sano, Fukuyama, H., Kosugi, T. & Nakamura, M. Sugahara, H. Tokumit-su, M & Enoki, T: InP-based IC technologies. Thin Solid Films 515, 4313–4320 (2007).
dc.relationWang, X: Growth and Characterization of Polycrystalline Indium Phosphide on Silicon. Royal Institute of Technology (KTH), Kista, Stockholm, Sweden (2013).
dc.relationWallentin, J: Doping of semiconductor nanowires. Lund University (2013).
dc.relationBrozel, M., Stilman, G: Properties of Gallium Arsenide. INSPEC, the Institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom (1996).
dc.relationAhmeda, R., Aleema, F., Hashemifarb, J. & Akbarzadehb, H: First-principles study of the structural and electronic properties of III-phosphides. Physica B 403, 1876–1881 (2008).
dc.relationSalamanca, M: Propiedades ópticas- estructurales y morfológicas de aleaciones ternarias de Ga1-xAsMnx crecidas por Magnetrón Sputtering. Universidad nacional de Colombia (2010).
dc.relationGarcia, F: Propiedades ópticas lineales y no lineales en pozos δ-dopados dobles asimétricos tipo n en GaAs. Universidad Autónoma de Zacatecas (2013).
dc.relationGiordano, L. Patron de zinc blenda. [Figura]. https://digilander.libero.it/luc110/index.htm
dc.relationRedondo, E: Realización de Transistores MISFET sobre Semiconductores compuesto del grupo III-V. Universidad Complutense de Madrid (2001).
dc.relationChico, L: El gas electrónico confinado en sistemas semiconductores cuánticos. Universidad Complutense de Madrid, España (1993).
dc.relationLópez, S. Energía del Gap vs constante de red. [Figura]. http://www.elai.upm.es
dc.relationCovi, A. Representación bidimensional de un cristal de silicio. [Figura]. http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/microelectronica.html
dc.relationRodríguez, P: Semiconductores. Primera edición, editorial Alsina. Paraná Buenos Aires (2001).
dc.relationLandin, P. Semiconductores extrínsecos. [Figura]. http://pelandintecno.blogspot.com/2014/04/semiconductores-intrinsecos-y.html
dc.relationReig. C. Nivel de Fermi en semiconductores extrínsecos. [Figura]. https://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf
dc.relationFonthal, G: Estudio de la Impurificación de capas Epitaxiales de GaAs y AlGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje, por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia. Universidad del Quindío (2001).
dc.relationYu, P. and Cardona, M: Fundamentals of Semiconductors. Editorial Springer – Verlag Berlin (1996).
dc.relationPankov, J. Y: Optical Processes in semiconductors. Dover Publications Inc. New York (1971).
dc.relation26]. López, S. Absorción de fotones. [Figura]. http://www.elai.upm.es
dc.relationPavlov, P. V: Propiedades ópticas de los sólidos. Física del Estado Sólido. P. 346. Moscu (1987).
dc.relationCastro, G. H: Estudio de las propiedades ópticas y estructurales en peliculas delgadas de ZnSe. Universidad Nacional de Colombia (2013).
dc.relationBebb, H. B. and Williams, E. W: Semiconductors Semimetals. Vol 8, editorial Willardson and Beer (1972).
dc.relationRacedo, F: Crecimiento Epitaxial Selectivo de Estructuras Semiconductoras III-V. Pontificia Universidad e Católica, Rio de Janeiro Brasil (2000).
dc.relationQuantum Desing UK e ireland Ltd. RPM 2000 Rapid Photoluminiscence Mapper from Nanometrics. https://www.azonano.com/article.aspx?ArticleID=2308
dc.relationRPM 2000 System Acceptance and Specifications. Wavelength calibration, RPM 2000-0511-0059, Bioinstrumental, York, Yo31 8SD, England.
dc.relationWilliams, E. W and Bebb, B: Semiconductors And Semimetals. Vol 8. Editorial Willardson and Beer. P. 368 (1972).
dc.relationVargas, C., .Agudelo, J.J., & Espinosa, D. G: Estudios por fotoluminiscencia y Fotorreflectancia de Substratos de GaAs con y sin Tratamiento Químico. Revista Colombiana de Fisica, Vol 36, No 1, p-p. 1-4 (2004).
dc.relationBand structure and carrier concentration. Basic Parameters. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/bandstr.html
dc.relationMendez, B: Estudio de la Naturaleza y Distribución de Defectos en Obleas de GaAs Mediante Tecnicas de Inyecciones de Haces. Universidad Complutense de Madrid (2002).
dc.relationKoschel, W.H. Bishop, S.G. and McCombe, B.D: Photoluminesce from deep Centers in GaAs. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, U.S.A, Vol. 19, p-p. 52 1 – 524 (1976)
dc.relationCho, S: Temperature and Excitation-Density Dependences of the Photoluminescence of Carbon-Doped GaAs Epilayers. Journal of the Korean Physical Society, Vol. 41, No. 4, p-p. 475-478 (2002).
dc.relationDongseok K., Shermin A., Stephen B., Cronin, X. L, John A. Rogers & Jongseung Y: Carbon-doped GaAs single junction solar microcells grown in multilayer epitaxial assemblies. Appl. Phys. Lett. 102, 253902, p-p 1-6 (2013).
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional (CC BY-NC-SA 4.0)
dc.rightsDerecho Reservados Universidad de La Guajira
dc.titleMapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.
dc.typeTesis


Este ítem pertenece a la siguiente institución