dc.contributor | Zambrano Rojas, Samuel | |
dc.creator | Jácome Mejía, Jesús Alfonso | |
dc.date.accessioned | 2022-04-27T16:27:01Z | |
dc.date.accessioned | 2022-09-29T15:38:01Z | |
dc.date.available | 2022-04-27T16:27:01Z | |
dc.date.available | 2022-09-29T15:38:01Z | |
dc.date.created | 2022-04-27T16:27:01Z | |
dc.date.issued | 2019 | |
dc.identifier | https://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/381 | |
dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3781340 | |
dc.description.abstract | En este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia (RPM2000). Se realizó un barrido sobre las muestras, del cual se obtuvieron resultados para los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. Haciendo un proceso de decapado químico mejoraron las mediciones, debido a que las muestras al estar expuestas al medio ambiente en condiciones normales, se contaminan con la humedad, carbono y el oxígeno originándose en estas un proceso de envejecimiento formando una capa de óxido superficial que debe ser removida, ya que la respuesta óptica de un material envejecido genera defectos y bandas muy anchas de PL. A partir de la técnica de fotoluminiscencia aplicada a las muestras semiconductoras se encontró información vital sobre la uniformidad de la composición del dopamiento, la calidad del material y los defectos de la misma. | |
dc.language | spa | |
dc.publisher | Universidad de La Guajira | |
dc.publisher | SUE CARIBE | |
dc.publisher | Distrito Especial, Turístico y Cultural de Riohacha | |
dc.publisher | Maestría en Ciencias Físicas | |
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dc.rights | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional (CC BY-NC-SA 4.0) | |
dc.rights | Derecho Reservados Universidad de La Guajira | |
dc.title | Mapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados. | |
dc.type | Tesis | |