dc.creatorCárdenas, Jairo Ricardo
dc.date.accessioned2016-05-16 00:00:00
dc.date.accessioned2022-06-17T20:19:08Z
dc.date.accessioned2022-09-29T14:53:58Z
dc.date.available2016-05-16 00:00:00
dc.date.available2022-06-17T20:19:08Z
dc.date.available2022-09-29T14:53:58Z
dc.date.created2016-05-16 00:00:00
dc.date.created2022-06-17T20:19:08Z
dc.date.issued2016-05-16
dc.identifier1794-1237
dc.identifierhttps://repository.eia.edu.co/handle/11190/4973
dc.identifier10.24050/reia.v12i2.960
dc.identifier2463-0950
dc.identifierhttps://doi.org/10.24050/reia.v12i2.960
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3778733
dc.description.abstractSe presentan adelantos recientes en el método de potenciales efectivos para el estudio de nanoestructuras semiconductoras a nivel atomístico. Se demuestra que el esquema de derivación de potenciales efectivos, a partir de cálculos basados en la teoría del funcional de la densidad en la aproximación de densidad local, puede ser extendido a diferentes composiciones y no se restringe a materiales con igual número de aniones y cationes. Se muestra que el método puede ser aplicado a la derivación de potenciales atómicos de impurezas. Los resultados permiten concluir, gracias a la similitud de los resultados obtenidos usando potenciales efectivos y usando formalmente la teoría del funcional de la densidad, que la nueva generación de potenciales son lo suficientemente precisos para su aplicación al estudio de nanoestructuras semiconductoras, en donde el número de átomos supera el límite de los cálculos estándar realizados usando la teoría del funcional densidad.
dc.description.abstractSe presentan adelantos recientes en el método de potenciales efectivos para el estudio de nanoestructuras semiconductoras a nivel atomístico. Se demuestra que el esquema de derivación de potenciales efectivos, a partir de cálculos basados en la teoría del funcional de la densidad en la aproximación de densidad local, puede ser extendido a diferentes composiciones y no se restringe a materiales con igual número de aniones y cationes. Se muestra que el método puede ser aplicado a la derivación de potenciales atómicos de impurezas. Los resultados permiten concluir, gracias a la similitud de los resultados obtenidos usando potenciales efectivos y usando formalmente la teoría del funcional de la densidad, que la nueva generación de potenciales son lo suficientemente precisos para su aplicación al estudio de nanoestructuras semiconductoras, en donde el número de átomos supera el límite de los cálculos estándar realizados usando la teoría del funcional densidad.
dc.languagespa
dc.publisherFondo Editorial EIA - Universidad EIA
dc.relationhttps://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/download/960/869
dc.relationNúm. 2 , Año 2016 : Edición especial Nanociencia y Nanotecnología 2
dc.relation43
dc.relation2
dc.relation35
dc.relation12
dc.relationRevista EIA
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsEsta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0.
dc.rightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rightsRevista EIA - 2016
dc.sourcehttps://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/960
dc.subjectNanociencia
dc.subjectcálculos de primeros principios
dc.subjectpotenciales efectivos
dc.subjectmateriales semiconductores
dc.subjectsistemas de baja dimensionalidad
dc.subjectcálculos Atomísticos.
dc.titleAVANCES EN LA APLICACIÓN DE POTENCIALES EFECTIVOS EN EL ESTUDIO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS A NIVEL ATOMÍSTICO
dc.typeArtículo de revista
dc.typeJournal article


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