dc.contributorSemillero de Nanoestructuras Semiconductoras, Universidad EIA
dc.creatorCarrillo Trejo, Erika Cecilia
dc.creatorHenriquez Tapias, Joshua Esteban
dc.creatorSolano Pernett, Jorge Mario
dc.creatorMorales Aranburu, Álvaro Luis
dc.creatorDuque Echeverri, Carlos Alberto
dc.creatorRestrepo Arango, Ricardo León
dc.date.accessioned2022-01-11T19:40:57Z
dc.date.accessioned2022-09-29T14:49:07Z
dc.date.available2022-01-11T19:40:57Z
dc.date.available2022-09-29T14:49:07Z
dc.date.created2022-01-11T19:40:57Z
dc.identifierhttps://repository.eia.edu.co/handle/11190/4120
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3776801
dc.description.abstractSe presentan los cálculos téoricos de los niveles de energía para un electr ón en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos externos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras, el ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos y la concentración del azufre en las barreras de la heteroestructura, respectivamente. Se discuten los efectos de la variación de la concentración de azufre de los pozos cuánticos y de los campos eléctricos sobre los niveles de energía, en los elementos de la matriz de dipolo y en los coeficientes de la absorción óptica no lineal, además, de la combinación de ambos efectos en estas propiedades. Se encuentra que las transiciones electrónicas corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.
dc.titleEfectos de campo eléctrico en pozos cuánticos de Cds/CdTe
dc.typePresentación


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