Metodología de diseño de amplificadores de alta potencia en ANSYS EDT

Abstract

Se propone una metodología de diseño de amplificadores de alta potencia en el simulador ANSYS EDT. Se presentan las herramientas de caracterización de transistores y amplificadores en el dominio del tiempo y la frecuencia, mediante análisis DC, análisis lineal en frecuencia AC y análisis en balance armónico. Se diseñan y validan 3 amplificadores de alta potencia. El amplificador clase AB de alto rendimiento presenta la mayor potencia de salida Po= 23.8dBm, ganancia G= 20.795dB.El amplificador clase B de alta eficiencia presenta una disipación de potencia baja en banda, con valor de Pdiss=142mW, eficiencia no=51.72% y PAE=47.32%.El amplificador clase A presenta una eficiencia experimental de 50.2%, ganancia de G=11.40dB y potencia de salida de Po=21.40dBm.

In this paper a novel high power amplifier design methodology using ANSYS EDT is proposed. It is presented several characterization simulation tools of high power transistors and amplifiers. Measurements are done in the time domain, frequency domain and the harmonic balance method measures the performance of several power amplifiers.