Temperature dependence of band gap ratio and Q-factor defect mode in a semiconductor quaternary alloy hexagonal photonic-crystal hole slab

dc.creatorSánchez Cano, Robert
dc.creatorPorras Montenegro, Nelson
dc.date.accessioned2019-09-09T22:16:32Z
dc.date.accessioned2022-09-22T18:44:29Z
dc.date.available2019-09-09T22:16:32Z
dc.date.available2022-09-22T18:44:29Z
dc.date.created2019-09-09T22:16:32Z
dc.date.issued2016-03-10
dc.identifier1432-0630 (en línea)
dc.identifier0947-8396 (impresa)
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/10614/11077
dc.identifierhttps://link.springer.com/article/10.1007/s00339-016-9906-0
dc.identifierhttps://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs00339-016-9906-0.pdf
dc.identifierdoi: 10.1007/s00339-016-9906-0
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3457621
dc.description.abstractWe present numerical predictions for the photonic TE-like band gap ratio and the quality factors of symmetric localized defect as a function of the thickness slab and temperature by the use of plane wave expansion and the finite-difference time-domain methods. The photonic-crystal hole slab is composed of a 2D hexagonal array with identical air holes and a circular cross section, embedded in a non-dispersive III–V semiconductor quaternary alloy slab, which has a high value of dielectric function in the near-infrared region, and the symmetric defect is formed by increasing the radius of a single hole in the 2D hexagonal lattice. We show that the band gap ratio depends linearly on the temperature in the range 150–400 K. Our results show a strong temperature dependence of the quality factor Q, the maximum ( Q=7000 ) is reached at T=350K, but if the temperature continues to increase, the efficiency drops sharply. Furthermore, we present numerical predictions for the electromagnetic field distribution at T=350K
dc.languageeng
dc.publisherSpringer Verlag
dc.relationVolumen 122, número 4, (abril, 2016)
dc.relation4
dc.relation122
dc.relationSánchez-Cano, R., & Porras-Montenegro, N. (2016). Temperature dependence of band gap ratio and Q-factor defect mode in a semiconductor quaternary alloy hexagonal photonic-crystal hole slab. Applied Physics A, 122(4), 6 pp. https://doi.org/10.1007/s00339-016-9906-0
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dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rightsDerechos Reservados - Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2016
dc.sourceinstname:Universidad Autónoma de Occidente
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional UAO
dc.titleTemperature dependence of band gap ratio and Q-factor defect mode in a semiconductor quaternary alloy hexagonal photonic-crystal hole slab
dc.typeArtículo de revista


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