Degradación de transistores MOSFET de potencia en alimentadores de instrumentos de resonancia magnética nuclear con campo magnético ciclado

Abstract

En este trabajo se propone realizar un estudio de las causas de estrés a la que están sometidos los transistores MOSFET de potencia que conforman la fuente de alimentación en instrumentos de Resonancia Magnética Nuclear (RMN) con campo magnético ciclado. Se presenta un estudio de las posibles causas de estrés y los mecanismos físicos de degradación asociados, información necesaria para el diseño de sistemas de protección eficientes, y estrategias adecuadas de prognosis que permitan anticipar eventuales fallos. Se estudia experimentalmente los causales de estrés bajo condiciones típicas de funcionamiento.

This paper proposes a study of the causes of stress in the power MOSFET transistors that are part of the power supply in instruments of Nuclear Magnetic Resonance (NMR) with magnetic field cycling. Presents a study of the causes of stress and the associated physical mechanisms of degradation, necessary information for the design of efficient protection systems and appropiate strategies for prognosis enabling to anticipate any failures. We experimentally study the causes of stress under typical operating conditions.