Con la creciente demanda de aplicaciones portátiles, el consumo de potencia se ha convertido en uno de los factores más críticos e importantes en el desarrollo de circuitos integrados. El MOSFET de umbral dinámico o Dynamic Threshold MOSFET (DTMOS) es uno de los dispositivos propuestos para aplicaciones digitales de ultrabaja potencia. Sin embargo, no existe un modelo válido que represente las características eléctricas del DTMOS, para realizar simulaciones confiables de sistemas VLSI con DTMOS. El DTMOS opera con la unión fuente-cuerpo polarizada directamente. En este trabajo se analiza el efecto de la polarización directa en los principales parámetros del MOSFET, así como la validez del modelo convencional del MOSFET bajo polarización directa. Se realiza un estudio detallado del modelo convencional del MOSFET, haciendo énfasis en la correcta representación del comportamiento eléctrico del DTMOS. Algunos de los principales resultados de este trabajo se obtuvieron a partir de un análisis físico del efecto de la polarización directa de la unión fuente-cuerpo, los resultados de dicho análisis se compararon con datos experimentales (de una tecnología bulk de 10 μm de INAOE) y simulaciones PISCES de dispositivos de canal largo con la unión fuente-cuerpo polarizada directamente. Considerando que el DTMOS presenta mejores características al implementarse en una tecnología parcialmente agotada – silicio sobre aislante o Partially Depleted-Silicon On Insulator (PD-SOI), se realizaron simulaciones PISCES (basadas en una tecnología PD-SOI de 0.2 μm) de dispositivos de canal largo y canal corto con la unión fuente-cuerpo polarizada directamente. Los resultados se compararon con evaluaciones del modelo BSIMSOI4 y simulaciones en HSPICE con la finalidad de analizar la validez del modelo BSIMSOI4 para cuando el cuerpo está polarizado directamente. Finalmente, se analizan las diferencias entre simulaciones PISCES y el modelo BSIMSOI4 de los principales parámetros del MOSFET. Bajo polarización directa se utiliza una mejor definición del potencial superficial para eliminar las diferencias entre PISCES y el modelo BSIMSOI4, presentadas en los dispositivos de canal corto. Los resultados de este trabajo se pueden utilizar como base para el correcto modelado del DTMOS.