Diseño, fabricación y caracterización de un pixel integrado CMOS de amplio rango dinámico

dc.contributorJOSE ALEJANDRO DIAZ MENDEZ
dc.contributorMARIANO ACEVES MIJARES
dc.creatorEMMANUEL GOMEZ RAMIREZ
dc.date2015-01
dc.date.accessioned2018-11-19T14:25:26Z
dc.date.available2018-11-19T14:25:26Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/111
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/2258260
dc.descriptionEn la actualidad, los sensores de imágenes, o imagers, han tenido un avance tecnológico- social muy grande tal que, su uso dentro de diferentes áreas de investigación y en la vida diaria es indispensable. Además de tener un vasto número de aplicaciones, como: cámaras para automóviles, vigilancia, seguridad, visión robótica, aplicaciones biotecnológicas, medicina, etc. La calidad, velocidad de captura, tamaño y resolución (entre otras características) de una imagen dependen del desempeño del imager, por ello, se han tratado de mejorar las características básicas y el funcionamiento del mismo. Dentro del área del diseño de sensores de imágenes existen dos campos principales de investigación: el primero, donde se busca mejorar alguna de las características fundamentales del sistema (rango dinámico, velocidad o sensibilidad); y el segundo, donde se busca implementar funciones avanzadas en el procesamiento de imágenes como reconocimiento de patrones, direccionamiento, etc. Entre las figuras de mérito más importantes de un imager se encuentra el rango dinámico. Definido como la razón entre la iluminación de mayor intensidad y la de menor intensidad detectable por el sensor de imágenes. Por lo tanto, tener un amplio rango dinámico permite obtener imágenes en situaciones extremas, esto es, obtener una imagen de una escena oscura sin necesidad del uso del flash u obtenerla en situaciones de alta iluminación sin que el sensor se sature. Existen muchas aplicaciones donde el rango dinámico actual de los imagers es una limitante, debido a la pérdida de información cuando se tienen casos de iluminación extremas.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Gomez-Ramirez E.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Respuesta dinámica/Dynamic response
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/MOS/MOS analogue integrated circuits
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Detectores ultravioleta/Ultraviolet detectors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Sensor de imagen/Image sensor
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Consumo de energía/Power consumption
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.titleDiseño, fabricación y caracterización de un pixel integrado CMOS de amplio rango dinámico
dc.typeTesis
dc.audiencegeneralPublic


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