dc.contributorGüntzel, José Luís Almada
dc.contributorFriedrich, Luís Fernando
dc.contributorSantos, Luiz Cláudio Villar dos
dc.creatorNihei, Gustavo Henrique
dc.date2018-02-23T20:17:30Z
dc.date2018-02-23T20:17:30Z
dc.date2008
dc.date.accessioned2018-10-31T22:28:43Z
dc.date.available2018-10-31T22:28:43Z
dc.identifier816
dc.identifierhttps://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/184048
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1795661
dc.descriptionTCC (graduação) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnológico. Curso de Ciências da Computação.
dc.descriptionDevido à contínua redução das dimensões dos transistores, proporcionada pela evolução dos processos CMOS, os circuitos integrados fabricados em tecnologias do estado- da-arte estão se tornando cada vez mais vulneráveis a falhas transientes. Logo, é necessário incorporar técnicas de tolerância ao projeto de circuitos e sistemas integrados.
dc.formatapplication/octet-stream
dc.subjectconsumo potência energia SRAM memória modelagem RTL cache
dc.titleModelagem de Memórias SRAM em Nível RT Visando à Análise de Estimativa de Consumo Energético em Sistemas Embarcados
dc.typeTesis


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