masterThesis
Estudo da resposta de um fototransistor submetido a um fluxo de Nêutrons
Registro en:
do Rêgo Barros, Fábio; Antonio Filho, João. Estudo da resposta de um fototransistor submetido a um fluxo de Nêutrons. 2011. Dissertação (Mestrado). Programa de Pós-Graduação em Tecnologias Energéticas e Nucleares, Universidade Federal de Pernambuco, Recife, 2011.
Autor
BARROS, Fábio do Rêgo
Institución
Resumen
Este trabalho tem como objetivo estudar alguns efeitos no fototransistor TEKT5400S quanto às
características elétricas e ópticas quando exposto à radiação de uma fonte de nêutrons de
241Am-9Be, de modo que se possa avaliar a possibilidade de utilizá-lo como sensor neutrônico.
Os nêutrons ao interagir com a estrutura cristalina do dispositivo promovem o recuo de átomos
de silício no semicondutor, criando defeitos na estrutura cristalina e tais defeitos modificam o
estado elétrico do dispositivo. Foram irradiados 5 conjuntos de fototransistor, cada qual
contendo 3 dispositivos, sendo 4 conjuntos irradiados na fonte de nêutrons dos quais 3 em
nêutrons rápidos e um em nêutrons térmicos e o último conjunto foi irradiado na fonte de 60Co.
Para perceber as mudanças na estrutura cristalina foi realizada a leitura da corrente de escuro
do dispositivo, com isso determinou-se curva (I×V) conhecida como curva característica, de
modo a verificar sua resposta quanto ao efeito da dose acumulada, suas propriedades ópticas e a
permanência deste efeito ao longo do tempo. Os resultados mostraram que há variação, em
função da dose, tanto no estado elétrico do dispositivo como em suas propriedades ópticas.
Verificou-se ainda que a sua resposta em função da dose é linear até 0,64 Gy, não perde
informação após ser irradiado, responde a dose acumulada no tempo, a sua sensibilidade
relativa é alterada quando exposto à luz visível durante a leitura, e os danos causados pelo
processo de irradiação são irreversíveis