masterThesis
Síntese e caracterização de filmes finos de ito e de sílicio poroso
Registro en:
Silva Belo, Gustavo; Felisberto da Silva Júnior, Eronides. Síntese e caracterização de filmes finos de ito e de sílicio poroso. 2008. Dissertação (Mestrado). Programa de Pós-Graduação em Física, Universidade Federal de Pernambuco, Recife, 2008.
Autor
Silva Belo, Gustavo
Institución
Resumen
Desenvolveu-se um processo de produção de filmes finos de óxido de índio
dopado com estanho (ITO) com espessuras típicas de 120 nm, depositados
em substratos de vidro pela técnica de evaporação térmica reativa (ETR). Os
efeitos da pressão parcial de oxigênio durante a deposição e do tratamento
térmico em oxigênio nas propriedades elétricas, estruturais e óticas dos filmes
foram estudados. Mostramos que a técnica de ETR pode ser utilizada para
produzir filmes finos de ITO com alta qualidade, baixa resistividade elétrica
(10−3
.cm) e alta transmitância ( 80% na faixa visível). Os resultados obtidos
suportam o potencial da utilização de filmes finos de ITO produzidos por
ETR para aplicação em dispositivos semicondutores, fotônicos, optoeletrônicos,
sensores e detectores.
Desenvolveu-se também processos de produção de filmes de silício poroso
pelas técnicas de corrosão eletroquímica (CE) e corrosão a vapor (CV). O
efeito dos eletrodos de níquel e paládio nas propriedades do silício poroso
foram estudados e comparados com os filmes de silício poroso sintetizados
por outra técnica (CE com eletrodo de platina e CV). Mostramos que o efeito
catalítico do eletrodo utilizado durante a CE, em especial o efeito do eletrodo
de paládio, pode ser utilizado para produzir silício poroso de alta qualidade
estrutural e com alta luminescência quando comparados com os sintetizados
por outra técnica. Os resultados obtidos suportam o potencial dos filmes de
silício poroso para aplicação em dispositivos fotônicos e optoeletrônicos. Universidade Federal de Pernambuco