| dc.creator | Schulz, Peter Alexander Bleinroth, 1961- | |
| dc.date | 1985 | |
| dc.date | 1985-08-14T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-12-01T16:40:39Z | |
| dc.date | 2017-12-01T16:40:39Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T06:13:21Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T06:13:21Z | |
| dc.identifier | SCHULZ, Peter Alexander Bleinroth. Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos. 1985. 61 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277606>. Acesso em: 1 dez. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277606 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1367656 | |
| dc.description | Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin | |
| dc.description | Resumo: Apresentamos um modelo para a dinâmica de rede do a-Si1-xNx. Esse modelo se baseia em um Hamiltoniano de Born, resolvido na aproximação da rede de Bethe. A partir da densidade local de modos normais de vibração, obtida pelo método das funções de Green, analisamos o espectro de absorção no infravermelho desse material | |
| dc.description | Abstract: We introduce a model for the lattice dynamics of a-Si1-xNx. This model is based on a Born Hamiltonian, solved in the Bethe lattice approximation. Starting from the local density of vibrational states, we analyze the infrared absorption spectra of this material | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.format | 61 f. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Semincondutores | |
| dc.subject | Vibração | |
| dc.title | Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos | |
| dc.type | Tesis | |
