Analogic memories characterization implemented with floating gate MOS transistors

dc.creatorCouto, Andre Luis do
dc.date2005
dc.date2005-11-28T00:00:00Z
dc.date2017-03-29T06:13:41Z
dc.date2017-07-13T19:54:20Z
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dc.date.accessioned2018-03-29T03:59:38Z
dc.date.available2018-03-29T03:59:38Z
dc.identifier(Broch.)
dc.identifierCOUTO, Andre Luis do. Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate. 2005. 94f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000395073>. Acesso em: 29 mar. 2017.
dc.identifierhttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260078
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1339310
dc.descriptionOrientador: Carlos Alberto dos Reis Filho
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
dc.descriptionResumo: A integração de memórias e circuitos analógicos em um mesmo die oferece diversas vantagens: redução de espaço nas placas, maior confiabilidade, menor custo. Para tanto, prescindir-se de tecnologia específica à confecção de memórias e utilizar-se somente de tecnologia CMOS convencional é requisito para tal integração. Essa pode ser tanto mais eficiente quanto maior a capacidade de armazenagem de dados, ou seja, maior a densidade de informação. Para isso, memórias analógicas mostram-se bem mais adequadas, posto que em uma só célula (um ou dois transistores) podem ser armazenados dados que precisariam de diversas células de memórias digitais e, portanto, de maior área. Neste trabalho, transistores MOS com porta flutuante mostraram-se viáveis de serem confeccionados e resultados de caracterização como tipos de programação, retenção de dados e endurance foram obtidos. O trabalho apresenta as principais características dos FGMOS (Floating Gate MOS) e presta-se como referência à futuros trabalhos na área
dc.descriptionAbstract:Monolithic integration of memories and analog circuits ,in the same die offers interesting advantages like: smaller application boards, higher robustness and mainly lower costs. Today, a profitable integration of these kind of circuit can only be possible using conventional CMOS technology, which allows efficiently extraordinary levels of integration. Thus, the possibility of integrating analog memories looks more suitable since one single cell (usually use one or two transistors) serves for storing the same data stored by few digital memory cells, therefore, they requiring less area. In this work, it was implemented different memory cells together with few devices using floating gate MOS transistors and manufactured by a conventional CMOS technology. Differemt sort of programrning', data retention, and endurance were characterized as well as the main characteristics of the FGMOS (Floating Gate MOS) were obtained. The results of their characterization reveal that is possible to make and' to program fIoating gate MOSFETS analog memories and must serve as starting-point and reference for new academic studies
dc.descriptionMestrado
dc.descriptionEletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica
dc.descriptionMestre em Engenharia Eletrica
dc.format94f. : il.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagePortuguês
dc.publisher[s.n.]
dc.subjectMemória cache
dc.subjectSistemas de memória de computadores
dc.subjectTransistores de efeito de campo
dc.subjectTransistores
dc.subjectCircuitos integrados
dc.subjectMicroeletrônica
dc.subjectMicroelectronics
dc.subjectIntegrated circuits
dc.subjectTransistors
dc.subjectField effect transistor
dc.subjectComputer memory system
dc.titleCaracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate
dc.titleAnalogic memories characterization implemented with floating gate MOS transistors
dc.typeTesis


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