Brasil
| Tesis
Obtenção de um processo para a confecção de circuitos digitais I2L (logica de injeção integrada) e circuitos analogicos de alta voltagem na mesma pastilha
| dc.creator | Dias, José Antonio Siqueira, 1954- | |
| dc.date | 1981 | |
| dc.date | 2017-03-14T06:45:57Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:51:47Z | |
| dc.date | 2017-03-14T06:45:57Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:51:47Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T03:57:36Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T03:57:36Z | |
| dc.identifier | DIAS, José Antonio Siqueira. Obtenção de um processo para a confecção de circuitos digitais I2L (logica de injeção integrada) e circuitos analogicos de alta voltagem na mesma pastilha. 1981. 1v. (varias paginações). Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, [SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000047303>. Acesso em: 14 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261324 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1338800 | |
| dc.description | Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica | |
| dc.description | Resumo: Quando apresentada em 1972, uma das principais promessas da tecnologia I2L era a possibilidade de confeccionar circuitos digitais e analógicos na mesma pastilha. Entretanto, os requisitos necessários para a confecção dos circuitos I2L limitam severamente o desempenho dos transistores NPN da parte analogica da pastilha, que apresentam tensões de ruptura muito baixas devido ao fenômeno de "punch-through". Este trabalho apresenta uma nova técnica para a confecção de circuitos digitais I2L e circuitos de alta tensão de ruptura na mesma pastilha, usando apenas uma máscara adicional em relação ao processo convencional de confecção de circuitos I2L e analógicos na mesma pastilha. são apresentados tambem, além da máscara de teste, os resultados experimentais que fornecem, para uma estrutura I2L com 6 coletores, B eff = 8, e tempo de atraso míni mo por porta ta = 75 ns. Para os transistoresda parte analógica,obteve-se VCEO = 35V e VCBO = 65V | |
| dc.description | Abstract: Not informed. | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Mestre em Engenharia Eletrica | |
| dc.format | 1v. (varias paginações) : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.relation | (Publicação FEC) | |
| dc.subject | Circuitos eletrônicos | |
| dc.subject | Sistemas eletrônicos analógicos | |
| dc.subject | Eletrônica digital | |
| dc.title | Obtenção de um processo para a confecção de circuitos digitais I2L (logica de injeção integrada) e circuitos analogicos de alta voltagem na mesma pastilha | |
| dc.type | Tesis |