Sintese e deposição de oxido de galio por CVD
Synthesis and deposition of gallium oxide by CVD
| dc.creator | Gonçalves, Jose Lino | |
| dc.date | 2002 | |
| dc.date | 2002-12-17T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-28T15:11:08Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:50:56Z | |
| dc.date | 2017-03-28T15:11:08Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:50:56Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T03:56:52Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T03:56:52Z | |
| dc.identifier | (Broch.) | |
| dc.identifier | GONÇALVES, Jose Lino. Sintese e deposição de oxido de galio por CVD. 2002. 113p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000355241>. Acesso em: 28 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261278 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1338616 | |
| dc.description | Orientador: Peter Jurgen Tatsch | |
| dc.description | Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação | |
| dc.description | Resumo: O objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento de um processo para a obtenção de óxido de gálio (A-Ga2O3). Foi montado um sistema de crescimento para deposição química a partir de vapor (CVD - Chemical Vapor Deposition), constituído de uma câmara de reação, aquecida por um forno resistivo de 3 zonas. A partir da reação do gálio metálico com a mistura de H2 e O2 foram sintetizados cristais de A-Ga2O3, e depósitos de filmes de A-Ga2O3 sobre SiO2, em temperaturas entre 800°C e 1050°C. Na síntese foram obtidas estruturas em forma de whiskers e nos depósitos, filmes policristalinos auto-sustentáveis com propriedades semicondutoras do tipo p. Tanto os whiskers como os filmes depositados foram caracterizados pelas técnicas de difratometria de raios X em amostras policristalinas, espectroscopia Raman e efeito Hall. As superfícies foram analisadas por microscopia óptica e microscopia eletrônica de varredura (MEV). As análises mostraram que o material tem boa cristalinidade e é de alta pureza | |
| dc.description | Abstract: The main objective of this work was to develop a process to obtain gallium oxide (A-Ga2O3) by Chemical Vapor Deposition (CVD). With this purpose, a CVD system was developed and employed for material growth at temperatures between 800°C and 1050°C. In the initial stage a mixture of hydrogen, oxygen and metallic gallium was used to provide the A-Ga2O3 whiskers growth, which were characterized and studied. Next we were able to produce a self-sustainable p-type polycrystalline film of A-Ga2O3 with semiconducting properties. Both, hiskers and films, were characterized using X-ray power difractometry, Raman spectroscopy and Hall effect. Surface analyses were carried out using optical microscopy and scanning electron microscopy (SEM). The whiskers and films were highly pure and of a very good crystallinity | |
| dc.description | Doutorado | |
| dc.description | Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica | |
| dc.description | Doutor em Engenharia Eletrica | |
| dc.format | 113p. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Gálio | |
| dc.subject | Cristal whiskers | |
| dc.subject | Deposição química de vapor | |
| dc.subject | Filmes finos | |
| dc.subject | Gallium | |
| dc.subject | Whiskers crystal | |
| dc.subject | Chemical vapor deposition | |
| dc.subject | Thin filmes growth | |
| dc.title | Sintese e deposição de oxido de galio por CVD | |
| dc.title | Synthesis and deposition of gallium oxide by CVD | |
| dc.type | Tesis |