dc.creatorMouallem, Janete
dc.date1991
dc.date1991-08-09T00:00:00Z
dc.date2017-03-13T23:12:32Z
dc.date2017-07-13T19:47:15Z
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dc.date.accessioned2018-03-29T03:53:50Z
dc.date.available2018-03-29T03:53:50Z
dc.identifier(Broch.)
dc.identifierMOUALLEM, Janete. Uma nova proposta para confecção da extensão da terminação da junção (JTE) em dispositivos planares de alta tensão. 1991. [72] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000033816>. Acesso em: 13 mar. 2017.
dc.identifierhttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259321
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1337866
dc.descriptionOrientador: Jose Antonio Siqueira Dias
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
dc.descriptionResumo: Sabe-se que a curvatura da junção reduz a tensão de ruptura de junções p-n. Neste trabalho, desenvolveu-se uma técnica simples que usa pré-deposição convencional de boro com fontes dopantes sólidas, para fazer uma Extensão da Terminação da Junção (Junction Termination Extension - JTE) em substituição aos processos de implantação de íon de alto custo. Para a obtenção de níveis de dopagem extremamente baixos para a fabricação do JTE, uma camada de óxido bem fina é previamente crescida sobre o "wafer", por uma oxidação à baixa temperatura, atuando como uma barreira para a carga de boro, controlando a carga liquida que alcança a superfície do silício
dc.descriptionAbstract: Junction curvature has been known to reduce the breakdown voltage of p-n junctions. A simple technique that uses conventional boron pre-deposition with solid sources dopants was developed in this work to make Junction Termination Extension (JTE) in substitution for the high cost ion-implanted processes. To obtain the extremely low doping levels for the fabrication of the JTE, a very thin oxide layer previously grown on the wafer by a LTO acts as a barrier to the boron charge, controlling the net charge that reaches the silicon surface
dc.descriptionMestrado
dc.descriptionMestre em Engenharia Eletrica
dc.format[72] f. : il.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagePortuguês
dc.publisher[s.n.]
dc.relation(Publicação FEE)
dc.subjectTransistores de junção
dc.subjectEletrônica
dc.titleUma nova proposta para confecção da extensão da terminação da junção (JTE) em dispositivos planares de alta tensão
dc.typeTesis


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