| dc.creator | Mouallem, Janete | |
| dc.date | 1991 | |
| dc.date | 1991-08-09T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-13T23:12:32Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:47:15Z | |
| dc.date | 2017-03-13T23:12:32Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:47:15Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T03:53:50Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T03:53:50Z | |
| dc.identifier | (Broch.) | |
| dc.identifier | MOUALLEM, Janete. Uma nova proposta para confecção da extensão da terminação da junção (JTE) em dispositivos planares de alta tensão. 1991. [72] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000033816>. Acesso em: 13 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259321 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1337866 | |
| dc.description | Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica | |
| dc.description | Resumo: Sabe-se que a curvatura da junção reduz a tensão de ruptura de junções p-n. Neste trabalho, desenvolveu-se uma técnica simples que usa pré-deposição convencional de boro com fontes dopantes sólidas, para fazer uma Extensão da Terminação da Junção (Junction Termination Extension - JTE) em substituição aos processos de implantação de íon de alto custo. Para a obtenção de níveis de dopagem extremamente baixos para a fabricação do JTE, uma camada de óxido bem fina é previamente crescida sobre o "wafer", por uma oxidação à baixa temperatura, atuando como uma barreira para a carga de boro, controlando a carga liquida que alcança a superfície do silício | |
| dc.description | Abstract: Junction curvature has been known to reduce the breakdown voltage of p-n junctions. A simple technique that uses conventional boron pre-deposition with solid sources dopants was developed in this work to make Junction Termination Extension (JTE) in substitution for the high cost ion-implanted processes. To obtain the extremely low doping levels for the fabrication of the JTE, a very thin oxide layer previously grown on the wafer by a LTO acts as a barrier to the boron charge, controlling the net charge that reaches the silicon surface | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Mestre em Engenharia Eletrica | |
| dc.format | [72] f. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.relation | (Publicação FEE) | |
| dc.subject | Transistores de junção | |
| dc.subject | Eletrônica | |
| dc.title | Uma nova proposta para confecção da extensão da terminação da junção (JTE) em dispositivos planares de alta tensão | |
| dc.type | Tesis | |
