Contribuição para a sintese de diamante com dopagens de boro, nitrogenio ou enxofre

Study of diamond doping with boron, sulphur and nitrogen

dc.creatorCorrea, Washington Luiz Alves
dc.date2004
dc.date2004-08-30T00:00:00Z
dc.date2017-03-28T20:20:21Z
dc.date2017-07-13T19:40:38Z
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dc.date.accessioned2018-03-29T03:48:32Z
dc.date.available2018-03-29T03:48:32Z
dc.identifier(Broch.)
dc.identifierCORREA, Washington Luiz Alves. Contribuição para a sintese de diamante com dopagens de boro, nitrogenio ou enxofre. 2004. 67f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000376515>. Acesso em: 28 mar. 2017.
dc.identifierhttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260578
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1336587
dc.descriptionOrientador: Vitor Baranauskas
dc.descriptionTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
dc.descriptionResumo: Estudamos processos de dopagem do diamante crescido por deposição química a partir da fase vapor (diamante CVD) com a introdução de impurezas dopantes durante o crescimento do diamante em reatores do tipo filamento-quente. Focalizamos nossa pesquisa na dopagem do diamante com boro, ou nitrogênio, ou enxofre, visando obter diamantes com propriedades semicondutoras com condutividade eletrônica (tipo n) ou condutividade por lacunas (tipo p). Foram utilizadas contaminações intencionais utilizando: trimetil borano (B(CH3)3), ou amônia (NH3), ou dissulfeto de carbono (CS2), misturados com metano e diluídos em hidrogênio. As amostras foram caracterizadas por microscopia eletrônica de varredura (SEM), espectroscopia Raman, espectroscopia de foto-elétrons excitados por raios X (XPS), espectroscopia de emissão de raios X excitado por feixe de prótons (PIXE) e efeito Hall. As dopagens do diamante do tipo p e do tipo n foram obtidas com contaminações de boro e enxofre, respectivamente. O diamante dopado com nitrogênio não apresentou propriedades semicondutoras
dc.descriptionAbstract: We studied the diamond doping processes with introduction of doping impurities during the diamond growth in the chemical vapor deposition (CVD) technique, using a hot-filament reactor. Our research focused the use of boron, nitrogen or sulphur atoms in order to obtain diamond films with semiconductor properties of electronic (n-type) or hole (p-type) current transport mechanisms. Trimethyl-borane (B(CH3)3), or ammonia, or carbon disulphide (CS2), mixed with methane and hydrogen were used in the feed gas mixture. The diamond samples were characterized by scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Proton-induced X-ray emission (PIXE) and Hall effect. p-type and n-type diamonds have been obtained with boron and sulphur doping, respectively. However, the nitrogen doped samples do not presented semiconductor properties
dc.descriptionDoutorado
dc.descriptionEngenharia de Eletronica e Comunicações
dc.descriptionDoutor em Engenharia Eletrica
dc.format67f. : il.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagePortuguês
dc.publisher[s.n.]
dc.subjectDiamante artificial
dc.subjectSemicondutores - Dopagem
dc.subjectFilmes finos de diamantes
dc.subjectFilmes finos - Propriedades elétricas
dc.subjectDiamond doping
dc.subjectBoron doping
dc.subjectNitrogen doping
dc.subjectSulphur doping
dc.subjectCVD diamond
dc.subjectDiamond semiconductor properties
dc.titleContribuição para a sintese de diamante com dopagens de boro, nitrogenio ou enxofre
dc.titleStudy of diamond doping with boron, sulphur and nitrogen
dc.typeTesis


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