| dc.creator | Gouveia, Maria de Fatima de | |
| dc.date | 2000 | |
| dc.date | 2000-12-18T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-22T11:13:09Z | |
| dc.date | 2017-07-13T19:39:50Z | |
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| dc.date | 2017-07-13T19:39:50Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T03:47:53Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T03:47:53Z | |
| dc.identifier | (Broch.) | |
| dc.identifier | GOUVEIA, Maria de Fatima de. Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores. 2000. 87f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000217851>. Acesso em: 22 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259964 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1336430 | |
| dc.description | Orientadores: Vitor Baranauskas, Gilberto Matos Gualberto | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação | |
| dc.description | Resumo: Filmes fmos de pentóxido de tântalo (Ta20S) foram crescidos por processo de oxidação anódica, visando sua aplicação como material dielétrico. Os filmes de Ta20S foram obtidos a partir de filmes fmos de tântalo e nitreto de tântalo depositados por sputtering e sputtering reativo com nitrogênio, respectivamente. Utilizamos para o processo de oxidação um sistema contendo uma célula eletrolítica, fonte de corrente contínua, eletrólito diluído de ácido cítrico e catodo inerte de tântalo. Os principais parâmetros de controle nesse processo são a densidade de corrente e a tensão de anodização. A fim de avaliar as propriedades dielétricas dos filmes de Ta20S, foram construídos capacitores de filme fmo de TaJTa20s/AI e TaNxlTa20s/AI, utilizando técnicas de fotolitografia e corrosão úmida. Apresentamos para esses capacitores, resultados de capacitância, corrente de fuga e fator de dissipação | |
| dc.description | Abstract: Tantalum pentoxide (Ta20S) thin films were grown by an anodic oxidation process, aiming at its application as a dielectric material. Ta20S films were obtained from tantalum and tantalum nitride deposited by sputtering and nitrogen reactive sputtering. The experimental system for oxidation process has an electrolytic cell, a direct current power supply, a dilute citric acid solution and an inert tantalum cathode. The main control parameters for the anodic oxidation process are the current density and anodization voltage. In order to evaluate the Ta20S dielectric characteristics, Ta/Ta20s/AI and TaNx/Ta20s/AI capacitors were built using photolithography and wet etching techniques. We discuss the capacitance, leakage current, and dissipation factor measurements for these capacitors | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Mestre em Engenharia Eletrica | |
| dc.format | 87f. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Metais - Oxidação anódica | |
| dc.subject | Óxidos metálicos | |
| dc.subject | Tantalo | |
| dc.subject | Filmes finos | |
| dc.subject | Dielétricos | |
| dc.title | Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores | |
| dc.type | Tesis | |
