dc.creator | Lourenço, Airton | |
dc.date | 1993 | |
dc.date | 1993-08-27T00:00:00Z | |
dc.date | 2017-03-15T02:07:05Z | |
dc.date | 2017-07-11T19:39:02Z | |
dc.date | 2017-03-15T02:07:05Z | |
dc.date | 2017-07-11T19:39:02Z | |
dc.date.accessioned | 2018-03-29T03:29:07Z | |
dc.date.available | 2018-03-29T03:29:07Z | |
dc.identifier | LOURENÇO, Airton. Oxido de indio-estanho (ITO): preparação e caracterização. 1993. [102]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica, Campinas, SP. Disponível em: <http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000069814>. Acesso em: 14 mar. 2017. | |
dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/265166 | |
dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1331824 | |
dc.description | Orientadores: Roberto T. Assumpção, Annette Gorenstein | |
dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica | |
dc.description | Resumo: Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo. Os fi lmes, foram caracterizados no que concerne: propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade-dc, concentração de portadores e mobilidade de Hall) , propriedades ópticas (transmitância e refletância em função do comprimento de onda) , difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. Sob ótimas condições de deposição foram obtidos filmes com uma resistência de folha de 4,20/0, resistividade elétrica de 1.23x10-40-cm com uma transmitância visivel melhor que 87% (O, 55um) e refletividade infravermelha ao redor de 80% (2,5um) | |
dc.description | Abstract: Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique. The films were characterized concerning: electrical properties (sheet resistance, dc-resistivity, carrier concentration and Hall mobility), optical properties (transmittance and reflectance as a function of wavelength), X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Under optimum deposition conditions, films with sheet resistance of 4,20/0, electrical resistivity of 1.23x10-40-cm with a visual transmittance better than 87% (0,55um) and infrared reflectivity above 80% (2,5um) were obtained. | |
dc.description | Mestrado | |
dc.description | Mestre em Engenharia Mecanica | |
dc.format | [102]f. : il. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | Português | |
dc.publisher | [s.n.] | |
dc.subject | Índio (Química) | |
dc.subject | Óxidos | |
dc.subject | Microscopia eletrônica de varredura | |
dc.title | Oxido de indio-estanho (ITO) : preparação e caracterização | |
dc.type | Tesis | |