| dc.creator | Borba, Gilvan Luiz | |
| dc.date | 1984 | |
| dc.date | 1985-02-15T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-14T03:42:39Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:39:44Z | |
| dc.date | 2017-03-14T03:42:39Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:39:44Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T02:48:10Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T02:48:10Z | |
| dc.identifier | BORBA, Gilvan Luiz. Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga. 1984. 82f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000044473>. Acesso em: 14 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277393 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1321568 | |
| dc.description | Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" | |
| dc.description | Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de potássio, os satélites em figuras de difração de raios-X e elétrons obtidos com amostras de TTF-TCNQ e NbSe3, e resultados de medidas de ruído e condutividade elétrica anômala em TaS3.
O capitulo II descreve propriedades e características dos diodos luminescentes usados neste trabalho.
As experiências feitas são descritas e discutidas no capitulo III. Para estimar a amplitude das ondas de densidade de carga previstas para semicondutores excitados, mediu-se a intensidade de luminescência em função da posição para várias correntes de injeção, e estudou-se o comportamento diferencial dos perfis registrados. Estabeleceram-se limites superiores da ordem de 0.1 para a "profundidade de modulação" p de ondas de densidade de carga em GaAlAs e InGaAsP. Essas medidas foram dificultadas por problemas de deterioração rápida das amostras disponíveis | |
| dc.description | Abstract: Not informed. | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.format | 82f. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Semicondutores | |
| dc.subject | Eletroluminescência | |
| dc.title | Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga | |
| dc.type | Tesis | |
