| dc.creator | Reis, Françoise Toledo | |
| dc.date | 1997 | |
| dc.date | 1997-02-19T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-21T14:58:29Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:39:36Z | |
| dc.date | 2017-03-21T14:58:29Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:39:36Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T02:48:04Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T02:48:04Z | |
| dc.identifier | REIS, Françoise Toledo. Fotocondutividade em a-Ge:H dopado com elementos da coluna III da Tabela Periódica. 1997. 51f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000114907>. Acesso em: 21 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278004 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1321544 | |
| dc.description | Orientador: Ivan E. Chambouleyron | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" | |
| dc.description | Resumo: Neste trabalho são apresentados os efeitos da dopagem tipo-p com gálio e índio na fotocondutividade de filmes finos de germânio amorfo hidrogenado ( a-Ge:H ) depositados pelo método de rf-sputtering.
O produto eficiência quântica-mobilidade-tempo de vida ( hmt ) foi medido, à temperatura ambiente, em função da posição da energia de Fermi EF em amostras com concentrações relativas de dopantes na faixa entre ~ 3x10-5 e ~ 10-2 .Para as amostras dopadas com gálio observa-se inicialmente um decréscimo de hmt com o aumento da concentração de dopante, até que um mínimo é atingido para amostras próximas ao nível de compensação ( NGa/NGe ~ 3x10-4 ), onde hmt é cerca de 16 vezes menor que o valor obtido para amostras intrínsecas. A este comportamento segue-se um aumento de aproximadamente 4 vezes no valor do produto hmt, para concentrações de gálio entre a compensação e NGa/ NGe ~ 1.5x10-3. Então, para maiores concentrações de gálio, os valores de hmt voltam a apresentar um decréscimo.
Nas amostras dopadas com índio observou-se um decréscimo monotônico do produto hmt para toda a faixa de concentração de dopante. Estes resultados são consistentes com o modelo de defeitos "padrão", no qual se assume que os defeitos profundos dentro do gap de mobilidade constituem o caminho de recombinação predominante. Uma explicação qualitativa foi utilizada levando-se em conta os efeitos da dopagem na variação da ocupação dos estados de carga dos citados defeitos | |
| dc.description | Abstract: This work reports on the effects of gallium and indium p-type doping on the photoconductivity of hydrogenated amorphous germanium ( a-Ge:H ) thin films deposited by the rf-sputtering method.
The quantum efficiency-mobility-lifetime ( hmt ) product has been measured at room temperature as a function of the dark Fermi energy EF on samples with relative dopant concentration range between ~ 3x10-5 and ~ 10-2. A decrease of hmt is observed with the increase of the gallium concentration till a minimum is reached for samples near the compensation level (NGa/NGe ~ 3x10-4), when hmt is about 16 times lower than the value obtained for intrinsic samples. This behavior is followed by an hmt increase of aproximately 4 times at concentration levels between compensation and NGa/NGe ~ 1.5x10-3. Then, for higher gallium concentrations, hmt decreases again. For In-doped samples, a monotone decrease of hmt is measured for all the impurity concentration range.
These results are consistent with a "standard" model for the defects, which assumes that the dangling bond is the main recombination path. A qualitative explanation was obtained where the changes in the occupancy of the charged defect states in the mobility gap due to doping are taken into account | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.format | 51f. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Semicondutores amorfos | |
| dc.subject | Fotocondutividade | |
| dc.subject | Efeito fotovoltaico | |
| dc.title | Fotocondutividade em a-Ge:H dopado com elementos da coluna III da Tabela Periódica | |
| dc.type | Tesis | |
