Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos

dc.creatorAlmeida, Nilson Sena de
dc.date1977
dc.date1977-07-15T00:00:00Z
dc.date2017-03-14T02:52:20Z
dc.date2017-06-14T17:37:16Z
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dc.date.accessioned2018-03-29T02:46:59Z
dc.date.available2018-03-29T02:46:59Z
dc.identifierALMEIDA, Nilson Sena de. Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos. 1977. 53 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000043276>. Acesso em: 13 mar. 2017.
dc.identifierhttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278212
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1321262
dc.descriptionOrientador: Luiz Carlos M. Miranda
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
dc.descriptionResumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação elétron-radiação é devida ao termo em A2 é dominante sobre o em A.p. Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma análise do comportamento de Sp( l ) com a geometria de espalhamento
dc.descriptionAbstract: Not informed.
dc.descriptionMestrado
dc.descriptionFísica
dc.descriptionMestre em Física
dc.format53 f. : il.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagePortuguês
dc.publisher[s.n.]
dc.subjectEspectroscopia Raman
dc.subjectSemicondutores magnéticos
dc.titleEspalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos
dc.typeTesis


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