| dc.creator | Portella, Marcia Tereza | |
| dc.date | 1984 | |
| dc.date | 1984-09-27T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-14T17:24:43Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:35:14Z | |
| dc.date | 2017-03-14T17:24:43Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:35:14Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T02:45:40Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T02:45:40Z | |
| dc.identifier | PORTELLA, Marcia Tereza. Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos. 1984. 152f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000052669>. Acesso em: 14 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278347 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1320920 | |
| dc.description | Orientadores: Marco Antonio Fiori Scarparo, Carlos Henrique de Brito Cruz | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin | |
| dc.description | Resumo: Este trabalho teve como objetivo a construção e estudo de chaves elétricas ultra rápidas. Tais dispositivos construídos a partir de semicondutores de alta resistividade, realizam uma transformação direta da energia do pulso de luz ultra curto em sinais elétricos. Estes sinais tem tempos de subida e duração de picosegundos. Os parâmetros relevantes a construção como: geometria da linha de transmissão, contatos entre metal e semicondutor, cabos coaxiais, conexões entre cabos e linhas foram estudados. Grande atenção foi dispensada aos efeitos da potência média do laser incidente e de campos elétricos aplicados. Os materiais utilizados foram arsenieto de gálio e fosfeto de índio com diferentes distâncias entre os eletrodos. Pulsos elétricos com amplitude de 2,8 V e tempo de subida £ 50ps foram obtidos com chaves de InP a urna repetição 150 MHz | |
| dc.description | Abstract: In this work we have studied the construction of ultra-fast electrical switches activated by ultrashort laser pulses. Such devices, built based on high-resistivity semiconductors, transform the energy of ultra short light pulses in electrical signals. These signals have rise time and pulse width of the order of pico-seconds. Parameters concerning the construction as: transmission lines, metal ¿ semiconductor contacts, coaxial cables, cables and line connections have been studied. Effects of mean power of the incident laser beam and applied electrical fields have also been considered. The materials used were gallium-arsenide and indium phosphide with different distance between the electrodes. Electrical pulses with amplitudes of 2,8 V and rise times £ 50ps were obtained with switches of InP at a repetition rate of 150 MHz | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.format | 152f. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Lasers semicondutores | |
| dc.subject | Lasers | |
| dc.title | Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos | |
| dc.type | Tesis | |
