| dc.creator | Silva, Valeria Loureiro da | |
| dc.date | 1986 | |
| dc.date | 1986-07-18T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-14T15:44:05Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:33:48Z | |
| dc.date | 2017-03-14T15:44:05Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:33:48Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T02:44:49Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T02:44:49Z | |
| dc.identifier | SILVA, Valeria Loureiro da. Chaveamento de pulsos de laser de CO2 por semicondutores excitados opticamente. 1986. 115f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000051997>. Acesso em: 14 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277469 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1320700 | |
| dc.description | Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin | |
| dc.description | Resumo: Este trabalho tem como objetivo a construção e estudo de uma chave óptica a semicondutor. Esta chave pode ser usada tanto para gerar pulsos curtos no infravermelho como para estudar o próprio semicondutor. O tempo de resposta da. chave depende das características do semicondutor e do laser usado para controle. Apresentamos aqui os resultados obtidos com uma chave de Ge controlada por laser de N2, NdYag e corante. O tempo de resposta obtido foi de 50 ns, limitado pelo tempo de recombinação do Ge. Obtivemos um aumento na refletividade, em 10,6 mm no Ge, de 7% para 59% quando usamos o laser de N2 para controlar a chave. Apresentamos também um modelo simples para o comportamento das propriedades ópticas do semicondutor que explica bastante bem os resultados encontrados experimentalmente | |
| dc.description | Abstract: In this work we have studied a semiconductor optical switch. Its main use Is in the generation of short infrared pulses but it can also be used to study the semiconductor. The switch response time depends on the semiconductor and on the control laser characteristics. We show the results obtained using a Ge switch controlled by N2, NdYag and Dye lasers. The response time was 50ns limited by the Ge recombination time. The reflectivity increased from 7% to 59% when we use a N2 laser to control the switch. We als show a simple model for the semiconductor optical properties that explain very well the experimental results | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.format | 115f. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Laser de gas | |
| dc.subject | Semicondutores - Propriedades óticas | |
| dc.title | Chaveamento de pulsos de laser de CO2 por semicondutores excitados opticamente | |
| dc.type | Tesis | |
