Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura

dc.creatorPrince, Francisco Carlos de, 1954-
dc.date1977
dc.date1977-07-15T00:00:00Z
dc.date2017-03-14T15:28:26Z
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dc.date.accessioned2018-03-29T02:44:41Z
dc.date.available2018-03-29T02:44:41Z
dc.identifierPRINCE, Francisco Carlos de. Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura. 1977. 1v. (varias paginações). Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000051889>. Acesso em: 14 mar. 2017.
dc.identifierhttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278434
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1320662
dc.descriptionOrientador: Navin B. Patel
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
dc.descriptionResumo: Não informado
dc.descriptionAbstract: Not informed.
dc.descriptionMestrado
dc.descriptionFísica
dc.descriptionMestre em Física
dc.format1v. (varias paginações) : il.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagePortuguês
dc.publisher[s.n.]
dc.subjectLasers semicondutores
dc.subjectLasers em física
dc.titleInfluência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura
dc.typeTesis


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