| dc.creator | Origo, Fabio Dondeo | |
| dc.date | 1998 | |
| dc.date | 1998-12-16T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-22T03:27:01Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:29:50Z | |
| dc.date | 2017-03-22T03:27:01Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:29:50Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T02:42:30Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T02:42:30Z | |
| dc.identifier | (Broch.) | |
| dc.identifier | ORIGO, Fabio Dondeo. Propriedades óptico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de íons. 1998. 62f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000188777>. Acesso em: 22 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277978 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1320093 | |
| dc.description | Orientadores: Ivan Chambouleyron, David Comedi | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin | |
| dc.description | Resumo: Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de filmes de germânio amorfo hidrogenado, que são relacionados com a influência de parâmetros de deposição como temperatura do substrato, hidrogenação da amostra, taxa de deposição e bombardeamento in situ. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Assisted Ion Beam Sputtering, na qual os parâmetros de deposição são praticamente independentes ( ao contrário das técnicas usuais como glow discharge, rf e magnetron Sputtering). Desta forma, ao invés de se tratar de um trabalho de otimização, esta é uma pesquisa para compreensão da influência dos parâmetros de deposição nas propriedades das amostras.
As técnicas experimentais utilizadas na caracterização dos filmes são Espectroscopía de infravermelho, Espectroscopía de 'visível' e Espectroscopía de deflexão fototérmica (PDS). Os resultados indicam que a taxa de deposição exerce pouca influência nas propriedades medidas. A hidrogenação gera diminuição da densidade de defeitos e abertura do gap .
O bombardeamento in situ dos filmes de a-Ge:H proporciona aumento da quantidade de grande voids, de acordo com o aumento do parâmetro de microestrutura da amostra, obtido a partir da análise de infravermelho. Verificamos que amostras sem pico de absorção surface-like podem ser obtidas removendo-se o bombardeamento assistido na deposição | |
| dc.description | Abstract: Not informed. | |
| dc.description | Mestrado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.format | 62f. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Semicondutores amorfos | |
| dc.subject | Germânio | |
| dc.subject | Bombardeio iônico | |
| dc.subject | Porosidade | |
| dc.title | Propriedades óptico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de íons | |
| dc.type | Tesis | |
