| dc.creator | Batista, Jerias Alves | |
| dc.date | 2001 | |
| dc.date | 2001-01-31T00:00:00Z | |
| dc.date | 2017-03-22T10:17:50Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:29:41Z | |
| dc.date | 2017-03-22T10:17:50Z | |
| dc.date | 2017-06-14T17:29:41Z | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T02:42:25Z | |
| dc.date.available | 2018-03-29T02:42:25Z | |
| dc.identifier | (Broch.) | |
| dc.identifier | BATISTA, Jerias Alves. Detecção de defeitos em estruturas semicondutoras através da microscopia fototérmica de reflexão: a interferência optotérmica e o aumento de contraste. 2001. 137 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=vtls000215020>. Acesso em: 22 mar. 2017. | |
| dc.identifier | http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277290 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1320073 | |
| dc.description | Orientador: Antonio Manuel Mansanares | |
| dc.description | Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" | |
| dc.description | Resumo: A Ciência Fototérmica compreende uma grande variedade de fenômenos e métodos baseados na conversão de energia óptica em calor. A energia óptica absorvida é convertida em energia térmica em um grande número de materiais ¿ sólidos, líquidos e gasosos. Embora os processos de absorção nos materiais sejam seletivos, é comum aos estados excitados em átomos e moléculas perderem sua energia de excitação através de uma série de transições não-radiativas que resultam em aquecimento do material. Tais processos constituem a base para os Métodos Fototérmicos. A Microscopia Fototérmica de Reflexão tem se mostrado uma ferramenta útil na determinação de propriedades ópticas, térmicas e de transporte eletrônico em substratos semicondutores, dispositivos microeletrônicos e optoeletrônicos. Sua sensibilidade, conjugada à sua resolução espacial, capacita-a a detectar variações nos perfis de temperatura causadas por diferenças estruturais, bem como por defeitos em escalas micrométricas. O objetivo geral deste trabalho é a aplicação da técnica Microscopia Fototérmica de Reflexão na caracterização de defeitos em estruturas semicondutoras. Particular atenção será dada ao aumento da sensibilidade e do contraste dos resultados experimentalmente obtidos.
Inicialmente serão discutidos aspectos físicos da geração do sinal fototérmico. Veremos que o mecanismo indutor da resposta de um material ao aquecimento modulado pode ser entendido em termos da modulação induzida no seu índice de refração. Em materiais com baixa atividade eletrônica, a refletância modulada de um feixe de prova está baseada na dependência da refletância do material com a temperatura; em materiais eletronicamente ativos, entretanto, além desta contribuição, a densidade de portadores livres fotoinduzida também contribui para a modulação da refletância. A geração de portadores resultantes de processos térmicos será desprezada.
Em seguida mostraremos como heterogeneidades estruturais em sistemas multicamadas afetam o sinal fototérmico. Especificamente neste ponto, exploraremos a conjugação dos fenômenos de interferência óptica modulada termicamente visando o aumento do contraste do sinal. Contrastes de aproximadamente 100% foram obtidos em células solares usando-se interferência optotérmica, enquanto valores de apenas 15% foram obtidos pela interferência óptica convencional. Outrossim, será mostrado como a sensibilidade do sinal fototérmico pode ser significantemente aumentada pela escolha adequada de elementos de sondagens mais apropriados para medir efeitos da variação de temperatura. Aumento na sensibilidade de aproximadamente 200% foi obtido para o caso de trilhas de polissilício usando-se lasers de prova com diferentes comprimentos de onda.
A última parte do trabalho será dedicada ao estudo de danos causados por descargas eletrostáticas. Este fenômeno é um dos principais problemas em diversas etapas do processo de construção, encapsulação e uso de dispositivos microeletrônicos de efeito de campo. A metodologia convencional de investigação da degradação está baseada em características elétricas. Medidas da voltagem de limiar e correntes de fuga permitem o monitoramento da degradação durante os testes. Estes tipos de medidas levam em conta os danos globais na estrutura, não sendo possível, portanto, revelar a posição exata do dano, nem sua extensão espacial. Neste contexto, a Microscopia Fototérmica de Reflexão se apresenta como uma ferramenta assaz importante na detecção, localização e monitoramento das evoluções espacial e temporal dos efeitos decorrentes das descargas eletrostáticas sobre a estrutura dos dispositivos | |
| dc.description | Abstract: Not informed. | |
| dc.description | Doutorado | |
| dc.description | Física | |
| dc.description | Doutor em Ciencias | |
| dc.format | 137 p. : il. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | [s.n.] | |
| dc.subject | Microscópio e microscopia - Técnica | |
| dc.subject | Difusividade térmica | |
| dc.subject | Interferência (Luz) | |
| dc.title | Detecção de defeitos em estruturas semicondutoras através da microscopia fototérmica de reflexão : a interferência optotérmica e o aumento de contraste | |
| dc.type | Tesis | |
