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Mostrando ítems 21-29 de 2796
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Caracterización de Transistores Hemt en Banda Q
(Universidad de ChileCyberDocs, 2011)
Este trabajo de título tiene como objetivo diseñar y construir un sistema de caracterización de transistores HEMT. Este sistema tiene como n determinar el comportamiento de transistores candidatos a ser utilizados en el ...
Representação de um transistor
(Portal pontociência, 2013)
Representação de um transistor
(Portal pontociência, 2016)
Análise da Resistência Série Fonte-Dreno de Transistores HEMTs (“High Electron Mobility Transistor”)
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2021-12-03)
This work has as objective the study of High Electron Mobility Transistors' Source-Drain Series Resistance (RSD) with twelve different configurations of Channel Length and Channel Width for four Dies (blades) operating at ...
Cryogenic Operation of Junctionless Nanowire Transistors
(IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 2011)
This letter presents the properties of nMOS junctionless nanowire transistors (JNTs) under cryogenic operation. Experimental results of drain current, subthreshold slope, maximum transconductance at low electric field, and ...