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Mostrando ítems 1-10 de 28
Estudo de Transistores pMOS/nMOS SOI MuGFETs Baseado em Simulações Numéricas 2D e Caracterização Elétrica
(Revista Eletrônica de Iniciação Científica em Computação, 2013)
Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos transistores de múltiplas portas considerando as influências da temperatura e da tensão mecância. Os transistores de múltiplas portas demonstram grandes vantagens em relação ao ...
Estudo teórico e experimental de transistores de múltiplas portas fabricados em estruturas de nanofios
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2018)
The technological advancement of semiconductor devices is based on increasing their scalability over the years, ensuring greater performance of electronic circuits and better utilization of the occupied area by integrated ...
Estudo de modelos de mobilidade para simulação de dispositivos de múltiplas portas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A utilização da tecnologia SOI ajudou a melhorar a escalabilidade dos transistores mas, com a redução das dimensões, permaneceram relevantes alguns efeitos adversos e indesejáveis. Esses efeitos impulsionaram o desenvolvimento ...
Efeitos do autoaquecimento em transistores SOI-MOS tridimensionais nanométricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O autoaquecimento é um efeito que os dispositivos SOI MOSFETs estão sujeitos, quando a potência dissipada na forma de calor encontra dificuldade em dissipar-se para fora do dispositivo. Este efeito é muito comum e ocorre ...
Modelagem, simulação e caracterização elétrica da associação série assimétrica de transistores SOI
(Centro Universitário FEI, São Benardo do Campo, 2019)
Estudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Os dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do ...
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)