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Mostrando ítems 1-8 de 8
Segregação do índio em cristais Ga1-xInxSb obtidos pelo método bridgman vertical
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2012)
Este trabalho descreve o crescimento e a caracterização de cristais de compostos semicondutores III-V, Ga1-xInxSb levemente dopados com Alumínio (Al) e cádmio (Cd). O composto Ga1-xInxSb é um material interessante para o ...
Segregação do índio em cristais Ga1-xInxSb obtidos pelo método bridgman vertical
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2012)
Este trabalho descreve o crescimento e a caracterização de cristais de compostos semicondutores III-V, Ga1-xInxSb levemente dopados com Alumínio (Al) e cádmio (Cd). O composto Ga1-xInxSb é um material interessante para o ...
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
(Elsevier B.V., 2008-04-01)
We are presenting here p/n junctions obtained with a modified opened liquid-phase epitaxy (LPE) system, used to diffuse indium antimonide (InSb) doped with Cd over InSb doped with Te wafers, in order to make InSb infrared ...
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
(Elsevier B.V., 2008-04-01)
We are presenting here p/n junctions obtained with a modified opened liquid-phase epitaxy (LPE) system, used to diffuse indium antimonide (InSb) doped with Cd over InSb doped with Te wafers, in order to make InSb infrared ...
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
(Elsevier B.V., 2014)