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Mostrando ítems 1-10 de 185
Obtención de profundidades de unión xj menores a 0.4 μm, con una óptima activación de los dopantes implantados o depositados
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2007)
Análisis topológico del Laplaciano de la densidad electrónica de un catalizador para HDS de MoS2 dopado con Ni y Fe.
(Facultad Experimental de Ciencias de la Universidad del Zulia, 2013)
Variaciones en la conductividad en muestras compensadas de mc-Si:H por efectos de recocido
(Asociación Física Argentina, 2004-09)
Se presenta un estudio de los cambios producidos por recocidos isotérmicos en muestras micro-dopadas de silicio microcristalino (µc-Si:H) con diferentes grados de compensación. Las muestras fueron preparadas por deposición ...
Desarrollo e Investigación de un proceso de fabricación de celdas solares basadas en la tecnología del c-Si
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2017)
Obtención de profundidades de unión xj menores a 0.4 μm, con una óptima activación de los dopantes implantados o depositados
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2007)