En este trabajo, se presenta una nueva técnica para el mo delado de transistores de alta frecuencia con tecnología como GaAs(Arseniuro de Galio). La técnica puede predecir uno de los fenómenos más críticos en materia de ...

In this work, it was developed a driver for actuation of IGBT power transistors. the main characteristics of the developed prototype stand out the galvanic isolation between the pulse generator and the gate, the compatibility ...

En este libro se estudian los aspectos prácticos de los amplificadores de potencia de RF que utilizan transistores. Se hace especial énfasis en la descripción de los componentes y las redes típicas usadas en los amplificadores ...