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Mostrando ítems 1-10 de 23
Quantum transistor using superconducting qubits
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2022-09-23)
In recent times, quantum computation has become a flourishing field of research with increasing investment due to its promise to revolutionize computing, increasing the speed of information processing to levels far beyond ...
Análise numérica do transistor de toco quântico
(Universidade Federal de Pernambuco, 2014)
Processamento de óxido de grafeno na forma de filmes condutores e de pontos quânticos
(Universidade Federal de São Paulo, 2022-01-31)
O óxido de grafeno (GO, graphene oxide) é um derivado de grafeno que pode ser obtido em
grandes quantidades e baixo custo a partir da esfoliação química do grafite. O GO consiste em
uma camada atômica de carbono com ...
Controle das propriedades estatísticas do campo e biestabilidade óptica em eletrodinâmica quântica de cavidades
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2013-03-27)
We investigate in this thesis the control of absorptive optical bistability in a standing wave optical cavity filled with a collection of two and three-level noninteracting atoms weakly coupled to a single electromagnetic ...
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2019-12-20)
In this work, a study of the Anderson model is done for the case of a quantum dot between
two electron gases, single-electron transistor (SET), where a Coulombian repulsion term
was added at the orbitals that are directly ...
Estudo da distribuição da corrente em MUGFETS e modelagem da resistência de espraiamento em FINFETS nanométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
O foco deste trabalho é estudar os caminhos da corrente em transistores de múltiplas portas em três regimes de operação (sublimiar, limiar e pós-limiar) e, a partir deste estudo, analisar e modelar o efeito do espraiamento ...
Estudo da distribuição da corrente em MUGFETS e modelagem da resistência de espraiamento em FINFETS nanométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Investigação da transição isolante-metal do CDM via algoritmos computacionais e estudo de nano-dispositivos orgânicos
(Universidade Federal do ParáBrasilInstituto de Ciências Exatas e NaturaisUFPAPrograma de Pós-Graduação em Física, 2014)
Efeitos de proximidade de sistemas magnéticos em isolantes topológicosProximity effects of magnetics systems in topological insulators
(Universidade Federal de ViçosaFísica Aplicada, 2023)