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Mostrando ítems 1-10 de 220
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Estudo de diodos PIN fabricados em substratos SOI operando como células solares
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
O trabalho apresentado demonstra o uso de diodos PIN fabricados no substrato de lâminas de tecnologia SOI, operando como células solares, visando à conversão de energia solar em eletricidade. A implementação de tais ...
Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...
Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...
Estudo de diodos PIN fabricados em substratos SOI operando como células solares
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Electrical characterization of nano-MOSFETs in SOI technologyCaracterización eléctrica de nano-MOSFETs en tecnología SOI
(USFQ PRESS, departamento editorial de la Universidad San Francisco de Quito USFQ, 2012)
Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho tem como objetivo demonstrar o desempenho do transistor SOI de canal gradual (Graded-Channel - GC) submicrométrico a partir da comparação com o transistor SOI MOSFET convencional, detalhando suas características ...
Extração de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores
(2005-01-05)
Neste trabalho serão apresentadas as curvas
características de Capacitores SOI-MOS e métodos
de extração de parâmetros de processo e elétricos a
partir destas curvas. Os métodos são testados e
validados por simulações ...