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Mostrando ítems 1-10 de 41
TCAD Simulation for ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator MOSFET: a comparison between COMSOL and SentaurusSimulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus
(USFQ PRESS, departamento editorial de la Universidad San Francisco de Quito USFQ, 2014)
Total ionizing dose influence on proton irradiated triple gate SOI tunnel FETs
(2018-10-05)
This paper reports an analysis of radiation ef-fects on triple gate SOI tunnel FETs from a total ionizing dose point of view, based on measurements and TCAD simu-lations. Devices with different dimensions were exposed to ...
Design of High-Efficiency GaAs Solar Cells Based on TCAD 2D Numerical Simulations
(Universidad Tecnológica de Panamá, 2018)
Design of High-Efficiency GaAs Solar Cells Based on TCAD 2D Numerical Simulations
(Universidad Tecnológica de Panamá, 2018)
TCAD 2D numerical simulations for increasing efficiency of AlGaAs – GaAs Solar Cells
(Universidad Tecnológica de Panamá, Panamá, 2018)
Análise eletromiográfica em usuários de prótese total durante atividades de vida diária
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2006)
Este estudo teve por objetivo descrever e testar uma metodologia para determinar a atividade eletromiográfica dos músculos mastigatórios (m. temporal e m. masseter), posturais do pescoço (m. esternocleidomastoideo e m. ...
Análise eletromiográfica em usuários de prótese total durante atividades de vida diária
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2006)
Este estudo teve por objetivo descrever e testar uma metodologia para determinar a atividade eletromiográfica dos músculos mastigatórios (m. temporal e m. masseter), posturais do pescoço (m. esternocleidomastoideo e m. ...
Comparison between proton irradiated triple gate SOI TFETS and finfets from a TID point of view
(2019-05-01)
This paper compares, for the first time, the total ionizing dose degradation of 600 keV proton-irradiated silicon triple gate SOI tunnel FETs (TFETs) with SOI FinFETs fabricated with the same structure on the same wafer. ...