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Mostrando ítems 1-10 de 17
TCAD Simulation for ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator MOSFET: a comparison between COMSOL and SentaurusSimulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus
(USFQ PRESS, departamento editorial de la Universidad San Francisco de Quito USFQ, 2014)
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...
Design of High-Efficiency GaAs Solar Cells Based on TCAD 2D Numerical Simulations
(Universidad Tecnológica de Panamá, 2018)
Design of High-Efficiency GaAs Solar Cells Based on TCAD 2D Numerical Simulations
(Universidad Tecnológica de Panamá, 2018)
Estudo de diodos PIN fabricados em substratos SOI operando como células solares
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
O trabalho apresentado demonstra o uso de diodos PIN fabricados no substrato de lâminas de tecnologia SOI, operando como células solares, visando à conversão de energia solar em eletricidade. A implementação de tais ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Efeito de eventos únicos em transistores MOS: classificação dos eventos via redes neurais profundas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Dispositivos eletrônicos são suscetíveis a defeitos causados por radiação ionizante, e o uso destes dispositivos é cada vez mais requisitado em aplicações embarcadas que operam em ambientes agressivos (presença de radiação) ...
Efeito de eventos únicos em transistores MOS: classificação dos eventos via redes neurais profundas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Dispositivos eletrônicos são suscetíveis a defeitos causados por radiação ionizante, e o uso destes dispositivos é cada vez mais requisitado em aplicações embarcadas que operam em ambientes agressivos (presença de radiação) ...