Buscar
Mostrando ítems 1-10 de 305
Estudo das propriedades ópticas de poços quânticos de InGaAsN/GaAs para aplicação em dispositivos optoeletrônicos
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2012-02-15)
Uma nova família de semicondutores, a liga quaternária InxGa1-xAs1-yNy, cujo elemento Nitrogênio substitui o elemento Arsênio em pequenas porcentagens, tem recebido grande atenção devido à óptica na região de 1,3 μm, ...
Caracterização de nanocompósitos com propriedades líquido-cristalinas para aplicações em dispositivos optoeletrônicos
(Florianópolis, SC, 2021-08-21)
A eletrônica orgânica é uma área inovadora porque com ela é possível produzir dispositivos de fácil processamento, leves, flexíveis e de baixo custo. Cristais líquidos são materiais que se apresentam na fase intermediária ...
Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2008-06-16)
In the present work, we report on the electrical and optical properties ofInAs self-assembled quantum dots in two different situations. First, we perfomed magnetotunneling measurements in stacked self-assembled quantum dot ...
Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores de InAs/GaAs
(Universidade Tecnológica Federal do ParanáApucarana, 2011-11-24)
Semiconductors quantum dots(QDs)have attracted considerable interest from both
fundamental and technological point of view and have been extensively studied in aspects involving its structural properties and the electronic ...
Estudo das propriedades ópticas de poços quânticos de InGaAsN/GaAs para aplicação em dispositivos optoeletrônicos
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2014)