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Mostrando ítems 1-7 de 7
On the onset of InAs islanding on InP: influence of surface steps
(Elsevier Science BvAmsterdamHolanda, 1997)
Vertical and in-plane electrical transport in InAs/InP semiconductor nanostructures
(2005-06-20)
Vertical and in-plane electrical transport in InAs/InP semiconductors wires and dots have been investigated by conductive atomic force microscopy (C-AFM) and electrical measurements in processed devices. Localized I-V ...
Vertical and in-plane electrical transport in InAs/InP semiconductor nanostructures
(2005-06-20)
Vertical and in-plane electrical transport in InAs/InP semiconductors wires and dots have been investigated by conductive atomic force microscopy (C-AFM) and electrical measurements in processed devices. Localized I-V ...
Strong spatial beryllium doping selectivity on InGaP layers grown on pre-patterned GaAs substrates by chemical beam epitaxy
(Elsevier Science BvAmsterdamHolanda, 2004)
Estudio experimental de aleaciones ternarias semimagnéticas de (III-V) (Mn, Cr).
(Universidad Nacional de ColombiaMedellín - Ciencias - Doctorado en Ciencias - FísicaEscuela de físicaFacultad de CienciasMedellínUniversidad Nacional de Colombia - Sede Medellín, 2021-06-22)
Durante más de dos décadas, el estudio de las impurezas magnéticas en semiconductores ha recibido una gran atención. El interés en estos compuestos es impulsado en parte por el deseo de utilizar el spin del electrón en la ...