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Mostrando ítems 1-8 de 8
Compositional modulation and surface stability in InGaP films: Understanding and controlling surface properties
(2007-04-08)
We investigate the formation of compositional modulation and atomic ordering in InGaP films. Such bulk properties - as well as surface morphologies - present a strong dependence on growth parameters, mainly the V/III ratio. ...
Compositional modulation and surface stability in InGaP films: Understanding and controlling surface properties
(2007-04-08)
We investigate the formation of compositional modulation and atomic ordering in InGaP films. Such bulk properties - as well as surface morphologies - present a strong dependence on growth parameters, mainly the V/III ratio. ...
Inexpensive methodology to prepare TiO2/CuInS2 hetero-junctions for photovoltaic applications
(IOP Publishing, 2017-04)
TiO2 and CuInS2 (CIS) hetero-junctions were prepared using low-cost, solution-based techniques. Using conducting glass (FTO) as substrate, a thin film of TiO2 and an ultrathin film of In2S3 that acts as buffer layer were ...
CuInSe 2 films prepared by three step pulsed electrodeposition. Deposition mechanisms, optical and photoelectrochemical studies
(Electrochimica Acta Volume 56, Issue 26, 1 November 2011, Pages 9556-9567, 2011-11-01)
p-Type semiconducting copper indium diselenide thin films have been prepared onto In 2O 3:Sn substrates by a recently developed pulse electrodeposition method that consists in repeated cycles of three potential application ...
Estudio experimental de aleaciones ternarias semimagnéticas de (III-V) (Mn, Cr).
(Universidad Nacional de ColombiaMedellín - Ciencias - Doctorado en Ciencias - FísicaEscuela de físicaFacultad de CienciasMedellínUniversidad Nacional de Colombia - Sede Medellín, 2021-06-22)
Durante más de dos décadas, el estudio de las impurezas magnéticas en semiconductores ha recibido una gran atención. El interés en estos compuestos es impulsado en parte por el deseo de utilizar el spin del electrón en la ...
Caracterización y estudio de dispositivos basados en nanoestructuras de ZnO:Co para su aplicación en memorias no volátiles usando una configuración tipo transistor
(Universidad Nacional de ColombiaBogotá - Ciencias - Maestría en Ciencias - FísicaDepartamento de FísicaFacultad de CienciasBogotá, ColombiaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá, 2022-08)
En este trabajo se prepararon muestras de pelı́culas delgadas de óxido de zinc dopadas con cobalto (ZnO:Co) por medio del método de pulverización catódica (DC magnetron co-sputtering), variando los parámetros de sı́ntesis ...