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Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Estudo dos estilos de leiaute não convencionais para mosfets planares em altas temperaturas considerando-se o nó tecnológico de 180nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2022)
Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo experimental e por simulação numérica tridimensional (3D) entre os transistores de efeito de campo do tipo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor, ...
Estudo dos estilos de leiaute não convencionais para mosfets planares em altas temperaturas considerando-se o nó tecnológico de 180nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Esta tese de doutorado teve por objetivo estudar os impactos no desempenho elétrico dos transistores de efeito de campo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field Effect Transistors, MOSFETs) implementados ...
Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo do casamento entre MOSFETs implementados com geometrias de porta não convencionais em ambientes de radiações de raios X
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Esta tese de doutorado ilustra os estudos das variabilidades e dos descasamentos entre dispositivos dos MOSFET do tipo "N" (nMOSFETs) de geometria de porta hexagonal (DnM), octogonal (OnM) e retangular (CnM), considerando-se ...