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Mostrando ítems 1-10 de 27
Estudio de defectos profundos en películas epitaxiales de AlxGa1-x As por la técnica de fotoluminiscencia en el infrarrojo
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-10-27)
Las últimas investigaciones en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedigna para obtener dispositivos optoelectrónicos [1] integrados monolíticamente que presenten diferentes funcionalidades, ...
Caracterizacion por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2004-09-23)
Three Ga1¡xInxAsySb1¡y epitaxial thin films samples: x = 0:16; y = 0:11, x = 0:17; y =
0:14 and x = 0:17; y = 0:18, respectively, were studied by means of photoreflectance
(PR) technique in order to determine the fundamental ...
Estudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-10-27)
Las condiciones ambientales de los últimos años, al igual que la exigencia de nuevas tecnologías para la fabricación de materiales con mayor aplicabilidad, han llevado a buscar semiconductores y dispositivos de avanzada ...
Obtención de parámetros de red de películas epitaxiales de Ge/GaAs (11n)
(Facultad de Ciencias, 2014)
Electrodeposición epitaxial de znse y znte sobre substratos semiconductores monocristalinos
(2002)
En el presente trabajo de Tesis, se ha estudiado la electrodeposición
epitaxial de ZnSe y ZnTe sobre substratos semiconductores monocristalinos,
específicamente mP (111) y GaAs (100).
Previo a la realización de la ...
Obtención de películas epitaxiales de calcogenuros semiconductores de zinc mediante electrodeposición (ed) en medió dimetilsulfóxido.
(2004)
En el presente trabajo de tesis se llevó a cabo un estudio sistemático
orientado a encontrar las condiciones experimentales para preparar por
electrodeposición películas epitaxiales de los compuestos semiconductores ZnSe
y ...